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東京大学 工学系研究科 2019年8月実施 物理学2

Author​

祭音Myyura (co-authored with GPT 6 Astra)

Description​

真空中の領域 −h≤y≤h-h\le y\le h(h>0h>0)を電気伝導率 σ\sigma の導体が占め、x,zx,z 方向には無限に広がる。導体の誘電率と透磁率はそれぞれ ε0,μ0\varepsilon_0,\mu_0 に等しい。zz 方向の電場 EzE_z により電流密度 jz=σEzj_z=\sigma E_z が生じる。対称性から磁束密度は xx 成分 Bx(y)B_x(y) のみを持つ。Ez,BxE_z,B_x の正は、それぞれ +z,+x+z,+x 方向である。

I. EzE_z が一様かつ時間に依存しない場合を考える。

  1. 単位体積・単位時間あたりの発熱量を σ,jz\sigma,j_z で表せ。
  2. Bx(−y)=−Bx(y)B_x(-y)=-B_x(y) として、導体内外の Bx(y)B_x(y) を求めよ。

II. 電磁場が角振動数 ω\omega で振動し、Ez=Re⁡(E~eiωt)E_z=\operatorname{Re}(\widetilde E e^{i\omega t})、Bx=Re⁡(B~eiωt)B_x=\operatorname{Re}(\widetilde B e^{i\omega t}) と表される場合を考える。

  1. Maxwell 方程式
1μ0∇×B−ε0∂E∂t=j,∇×E+∂B∂t=0\frac1{\mu_0}\nabla\times\boldsymbol B-\varepsilon_0\frac{\partial\boldsymbol E}{\partial t}=\boldsymbol j, \qquad \nabla\times\boldsymbol E+\frac{\partial\boldsymbol B}{\partial t}=0

から次式を導け。電場は zz 成分、磁場は xx 成分のみで、いずれも y,ty,t のみに依存する。

d2E~dy2+(ε0μ0ω2−iωμ0σ)E~=0.\frac{d^2\widetilde E}{dy^2}+ (\varepsilon_0\mu_0\omega^2-i\omega\mu_0\sigma)\widetilde E=0.
  1. 良導体の条件 σ≫ε0ω\sigma\gg\varepsilon_0\omega では、α=ωμ0σ\alpha=\sqrt{\omega\mu_0\sigma} とおくと
d2E~dy2−iα2E~=0\frac{d^2\widetilde E}{dy^2}-i\alpha^2\widetilde E=0

となる。この一般解を求めよ。 3. xx 方向の単位長さあたりの電流が 2hRe⁡(jceiωt)2h\operatorname{Re}(j_c e^{i\omega t}) である。jcj_c は実定数とする。

∫−hhσE~ dy=2hjc,E~(−y)=E~(y)\int_{-h}^h\sigma\widetilde E\,dy=2hj_c,\qquad \widetilde E(-y)=\widetilde E(y)

を満たす導体内の解を求めよ。複素数を引数とする sinh⁡,cosh⁡\sinh,\cosh を用いてよい。 4. 中心と表面の電場振幅の二乗を ∣E~(0)∣2,∣E~(h)∣2|\widetilde E(0)|^2,|\widetilde E(h)|^2 とする。(i) ω→0\omega\to0、(ii) ω≫1/(μ0σh2)\omega\gg1/(\mu_0\sigma h^2) の各場合に、次の a–c から選び、理由を述べよ。

a. ∣E~(0)∣2≪∣E~(h)∣2,b. ∣E~(0)∣2≃∣E~(h)∣2,c. ∣E~(0)∣2≫∣E~(h)∣2.\text{a. }|\widetilde E(0)|^2\ll|\widetilde E(h)|^2,\quad \text{b. }|\widetilde E(0)|^2\simeq|\widetilde E(h)|^2,\quad \text{c. }|\widetilde E(0)|^2\gg|\widetilde E(h)|^2.

導体平板と電場振幅分布

题目描述​

真空中 −h≤y≤h-h\le y\le h(h>0h>0)为电导率 σ\sigma 的导体,在 x,zx,z 方向无限延伸,介电常数与磁导率分别为 ε0,μ0\varepsilon_0,\mu_0。沿 zz 方向施加电场 EzE_z,产生 jz=σEzj_z=\sigma E_z。磁感应强度仅有 xx 分量 Bx(y)B_x(y);两者正方向分别为 +z,+x+z,+x。

I. 电场均匀且恒定。

  1. 用 σ,jz\sigma,j_z 表示单位体积、单位时间的发热量。
  2. 利用 Bx(−y)=−Bx(y)B_x(-y)=-B_x(y),求导体内外的 Bx(y)B_x(y)。

II. 场以角频率 ω\omega 振荡,写为 Ez=Re⁡(E~eiωt)E_z=\operatorname{Re}(\widetilde E e^{i\omega t})、Bx=Re⁡(B~eiωt)B_x=\operatorname{Re}(\widetilde B e^{i\omega t})。

  1. 从 Maxwell 方程
1μ0∇×B−ε0∂E∂t=j,∇×E+∂B∂t=0\frac1{\mu_0}\nabla\times\boldsymbol B-\varepsilon_0\frac{\partial\boldsymbol E}{\partial t}=\boldsymbol j, \qquad \nabla\times\boldsymbol E+\frac{\partial\boldsymbol B}{\partial t}=0

出发,利用电场仅有 zz 分量、磁场仅有 xx 分量且场仅依赖 y,ty,t,证明

E~′′+(ε0μ0ω2−iωμ0σ)E~=0.\widetilde E''+(\varepsilon_0\mu_0\omega^2-i\omega\mu_0\sigma)\widetilde E=0.
  1. 当 σ≫ε0ω\sigma\gg\varepsilon_0\omega 时,令 α=ωμ0σ\alpha=\sqrt{\omega\mu_0\sigma},方程近似为 E~′′−iα2E~=0\widetilde E''-i\alpha^2\widetilde E=0。求通解。
  2. 沿 xx 方向每单位长度的总电流为 2hRe⁡(jceiωt)2h\operatorname{Re}(j_c e^{i\omega t}),jcj_c 为实常数。利用 ∫−hhσE~ dy=2hjc\int_{-h}^h\sigma\widetilde E\,dy=2hj_c 及偶对称条件求解,可使用复双曲函数。
  3. 对 (i) ω→0\omega\to0 和 (ii) ω≫1/(μ0σh2)\omega\gg1/(\mu_0\sigma h^2),分别判断中心电场振幅平方比表面值是 a. 远小于,b. 约等于,还是 c. 远大于,并说明理由。

Kai​

I.​

  1. Joule 熱は
p=j⋅E=jz2σ.\boxed{p=\boldsymbol j\cdot\boldsymbol E=\frac{j_z^2}{\sigma}}.
  1. Ampère の法則より −dBx/dy=μ0jz-dB_x/dy=\mu_0j_z。奇対称性と表面での連続性から
Bx(y)={μ0jzh,y<−h,−μ0jzy,−h≤y≤h,−μ0jzh,y>h.\boxed{B_x(y)=\begin{cases} \mu_0j_zh,&y<-h,\\ -\mu_0j_zy,&-h\le y\le h,\\ -\mu_0j_zh,&y>h. \end{cases}}

II.1​

Maxwell 方程式の必要な成分は

−1μ0∂Bx∂y=σEz+ε0∂Ez∂t,∂Ez∂y=−∂Bx∂t.-\frac1{\mu_0}\frac{\partial B_x}{\partial y} =\sigma E_z+\varepsilon_0\frac{\partial E_z}{\partial t},\qquad \frac{\partial E_z}{\partial y}=-\frac{\partial B_x}{\partial t}.

後式を yy で微分して前式を代入すると

∂2Ez∂y2=μ0σ∂Ez∂t+μ0ε0∂2Ez∂t2.\frac{\partial^2E_z}{\partial y^2} =\mu_0\sigma\frac{\partial E_z}{\partial t} +\mu_0\varepsilon_0\frac{\partial^2E_z}{\partial t^2}.

eiωte^{i\omega t} の係数を比較して、求める式を得る。

II.2–3​

q=(1+i)α/2q=(1+i)\alpha/\sqrt2 とおくと q2=iα2q^2=i\alpha^2 なので、一般解は

E~(y)=Acosh⁡(qy)+Bsinh⁡(qy).\boxed{\widetilde E(y)=A\cosh(qy)+B\sinh(qy)}.

偶対称性より B=0B=0。全電流の条件から 2σAsinh⁡(qh)/q=2hjc2\sigma A\sinh(qh)/q=2hj_c、したがって

E~(y)=hjcqσsinh⁡(qh)cosh⁡(qy).\boxed{\widetilde E(y)=\frac{hj_cq}{\sigma\sinh(qh)}\cosh(qy)}.

II.4​

s=αh/2s=\alpha h/\sqrt2 とおくと

∣E~(0)∣2∣E~(h)∣2=1∣cosh⁡((1+i)s)∣2=2cosh⁡(2s)+cos⁡(2s).\frac{|\widetilde E(0)|^2}{|\widetilde E(h)|^2} =\frac1{|\cosh((1+i)s)|^2} =\frac2{\cosh(2s)+\cos(2s)}.

(i) ω→0\omega\to0 では s→0s\to0 で比は 11 に近づく。よって b。

(ii) ωμ0σh2≫1\omega\mu_0\sigma h^2\gg1 では s≫1s\gg1 で、比は 4e−2s≪14e^{-2s}\ll1。よって a。電流は導体表面付近に集中する。

Reference​