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東京大学 工学系研究科 2016年8月実施 物理学 第2問

Author

祭音Myyura (co-authored with GPT 6 Astra)

Description

半径 rr の半円形導体板 A、B を、真空中で距離 z0z_0 を隔てて平行に置く。真空の誘電率を ε0\varepsilon_0 とする。上側の A は、その直径の中点 OA\mathrm O_A を通る板に垂直な軸のまわりに回転できる。B の直径の中点を OB\mathrm O_B とし、両中点は同じ鉛直線上にある。両板の直線状の縁のなす回転角を θ\theta とし、重なりがないときを θ=0\theta=0 とする。板に垂直な電場のみを考え、端効果を無視する。

半円形回転電極と誘電体の配置

I

θ=π/2\theta=\pi/2 として、A に自由電荷 QQ、B に Q (Q>0)-Q\ (Q>0) を与える。

  1. 重なり部分の電場の強さ EE を求めよ。
  2. B を基準とする A の電位 V1V_1 を求めよ。
  3. 電極間の静電容量 CC を求めよ。
  4. 電荷を保ったまま θ\thetaπ/10\pi/10 から 19π/1019\pi/10 までゆっくり増加させる。B に対する A の電位 V(θ)V(\theta) を求め、そのグラフを描け。

II

A、B の電荷を零に戻し、θ=π\theta=\pi とする。B の上に半径 rr、厚さ z0/2z_0/2、比誘電率 kk の半円形誘電体 C を密着させる。B のみを接地し、C の上面に自由電荷を面密度 σ (σ>0)\sigma\ (\sigma>0) で固定する。C は分極し、その内部の電場が弱まる。

  1. k=2k=2 とし、電気力線と電束線を別々の正面図に描け。線の密度はそれぞれ ε0E,D\varepsilon_0E,D の値を反映させよ。
  2. A、B の自由電荷 QA,QBQ_A,Q_B を求めよ。

III

II に続いて A も接地する。

  1. A、B に誘起される自由電荷を QA,QBQ'_A,Q'_B とする。C 上面と A の間の電場の強さ EAE'_A、C 内部の電場の強さ EBE'_B を、それぞれ QA,QBQ'_A,Q'_B で表せ。
  2. EA,EBE'_A,E'_B の関係を導き、QA,QBQ'_A,Q'_B を求めよ。
  3. k=2k=2 として、II.1 と同様に電気力線・電束線の正面図を別々に描け。
  4. 次に θ=0\theta=0 とし、A を一定角速度 ω>0\omega>0 でゆっくり回転させる。0<θ<2π0<\theta<2\pi の間、A に流入する電流 I(t)I(t) を求めよ。

题目描述

两块半径为 rr 的半圆形导体板 A、B 在真空中平行放置,间距为 z0z_0,真空介电常数为 ε0\varepsilon_0。上板 A 可绕过其直径中点 OA\mathrm O_A 且垂直于板的轴转动。下板直径中点为 OB\mathrm O_B,两中点在同一铅垂线上。以两直线边之间的转角为 θ\theta,两板无重叠时 θ=0\theta=0。只考虑垂直于板的电场,忽略边缘效应。

I. 令 θ=π/2\theta=\pi/2,A、B 分别带自由电荷 Q,Q (Q>0)Q,-Q\ (Q>0)

  1. 求重叠区域电场强度的大小 EE
  2. 求 A 相对于 B 的电位 V1V_1
  3. 求两电极间电容 CC
  4. 保持电荷不变,将 θ\thetaπ/10\pi/10 缓慢增加到 19π/1019\pi/10。求 A 相对于 B 的电位 V(θ)V(\theta),并画图。

II. 将 A、B 的电荷清零,令 θ=π\theta=\pi。将半径 rr、厚度 z0/2z_0/2、相对介电常数 kk 的半圆形介质 C 紧贴 B 放置。只将 B 接地,在 C 上表面固定面密度为 σ>0\sigma>0 的自由电荷。介质极化,内部电场减弱。

  1. k=2k=2,分别画出电场线和电位移线的正视图,线密度应反映 ε0E\varepsilon_0EDD 的大小。
  2. 求 A、B 上的自由电荷 QA,QBQ_A,Q_B

III. 在 II 的基础上也将 A 接地。

  1. 以两极板诱导的自由电荷为 QA,QBQ'_A,Q'_B,分别用它们表示 C 上表面与 A 之间、以及 C 内部的电场强度大小 EA,EBE'_A,E'_B
  2. 推导 EA,EBE'_A,E'_B 的关系并求 QA,QBQ'_A,Q'_B
  3. k=2k=2,按 II.1 要求分别画电场线、电位移线正视图。
  4. 然后令 θ=0\theta=0,以恒定角速度 ω>0\omega>0 缓慢转动 A。在 0<θ<2π0<\theta<2\pi 期间,求流入 A 的电流 I(t)I(t)

Kai

I

  1. 重なり面積は πr2/4\pi r^2/4 なので、Gauss の法則より、
E=4Qπε0r2(A から B へ).\boxed{E=\frac{4Q}{\pi\varepsilon_0r^2}}\quad\text{(A から B へ)}.

2–3. V1=Ez0V_1=Ez_0C=Q/V1C=Q/V_1 より、

V1=4Qz0πε0r2,C=πε0r24z0.\boxed{V_1=\frac{4Qz_0}{\pi\varepsilon_0r^2}},\qquad \boxed{C=\frac{\pi\varepsilon_0r^2}{4z_0}}.
  1. s(θ)=min(θ,2πθ)s(\theta)=\min(\theta,2\pi-\theta) と置くと、重なり面積は r2s(θ)/2r^2s(\theta)/2。したがって、
V(θ)=2Qz0ε0r2{1/θ,π/10θπ,1/(2πθ),πθ19π/10.\boxed{V(\theta)=\frac{2Qz_0}{\varepsilon_0r^2} \begin{cases} 1/\theta,&\pi/10\le\theta\le\pi,\\ 1/(2\pi-\theta),&\pi\le\theta\le19\pi/10. \end{cases}}

θ=π\theta=\pi で最小値 2Qz0/(πε0r2)2Qz_0/(\pi\varepsilon_0r^2) を取り、π\pi の左右で対称である。

回転角と電位の関係

II

全半円の面積を S=πr2/2S=\pi r^2/2 とする。A は孤立しており全電荷が零なので、端効果を無視する条件下で A と C の間の電場は零。C 内では下向きに

D=σ,E=σkε0.D=\sigma,\qquad E=\frac{\sigma}{k\varepsilon_0}.

したがって、

QA=0,QB=σS=πr2σ2.\boxed{Q_A=0},\qquad\boxed{Q_B=-\sigma S=-\frac{\pi r^2\sigma}{2}}.

k=2k=2 では C 内の電束線の密度は電気力線(ε0E\varepsilon_0E)の密度の 2 倍であり、両者とも下向きである。

III

  1. C 上面から A に向かう上向き電場と、C 内の下向き電場の大きさをそれぞれ EA,EBE'_A,E'_B とする。電極表面の境界条件より、
EA=QAε0S,EB=QBkε0S.\boxed{E'_A=-\frac{Q'_A}{\varepsilon_0S}},\qquad \boxed{E'_B=-\frac{Q'_B}{k\varepsilon_0S}}.
  1. A、B の電位が等しく、両層の厚さも等しいので EA=EBE'_A=E'_B。C 上面では
ε0EA+kε0EB=σ.\varepsilon_0E'_A+k\varepsilon_0E'_B=\sigma.

よって

EA=EB=σ(k+1)ε0,QA=σSk+1,QB=kσSk+1.E'_A=E'_B=\frac{\sigma}{(k+1)\varepsilon_0},\qquad \boxed{Q'_A=-\frac{\sigma S}{k+1}},\qquad \boxed{Q'_B=-\frac{k\sigma S}{k+1}}.
  1. 電気力線の密度は上下で等しい。電束線は、下側(C 内)が上側の k=2k=2 倍である。線はいずれも C 上面の正電荷から各電極へ向かう。

II と III の電気力線・電束線(線密度の比較)

  1. 回転中、A の電荷は重なり面積に比例し、
QA(θ)=σr22(k+1)s(θ).Q'_A(\theta)=-\frac{\sigma r^2}{2(k+1)}s(\theta).

θ=ωt\theta=\omega tI=dQA/dtI=dQ'_A/dt より、

I(t)={σr2ω2(k+1),0<t<π/ω,+σr2ω2(k+1),π/ω<t<2π/ω.\boxed{I(t)= \begin{cases} -\dfrac{\sigma r^2\omega}{2(k+1)},&0<t<\pi/\omega,\\[4pt] +\dfrac{\sigma r^2\omega}{2(k+1)},&\pi/\omega<t<2\pi/\omega. \end{cases}}

端効果を無視したモデルでは t=π/ωt=\pi/\omega で電流が不連続に切り替わる。