東北大学 工学研究科 電気・情報系 2016年3月実施 専門科目 問題3 電子工学(積分・平均値)
Author
祭音Myyura (co-authored with GPT 5.6 SOL)
Description
日本語版
平衡状態にある半導体を考える。伝導帯の電子密度は
n=∫EC∞g(E)f(E)dE(3A)
で求められる。ここで g(E)=4π(2mn/h2)3/2(E−EC)1/2 は伝導帯の電子の単位体積あたりの状態密度,f(E)=[1+exp((E−EF)/kT)]−1 はフェルミ・ディラック分布関数であり,E は電子のエネルギー,mn は電子の有効質量,h はプランク定数,EC は伝導帯底のエネルギー,EF はフェルミエネルギー,k はボルツマン定数,T は温度である。
E>EC において E−EF≫kT が成り立つと仮定し,以下の問に答えよ。
(1) 式 (3A) の積分を計算して以下の式を導き,有効状態密度 NC の式を求めよ。
n=NCexp(−kTEC−EF)(3B)
(2) 伝導帯の電子の平均エネルギーを求めよ。
(3) ドナー密度が ND である n 型半導体を考える。n=ND であるとき,EF の式を求めよ。
(4) 低温において n 型半導体中の電子密度は
n=ND[1−1+21exp{(ED−EF)/kT}1](3C)
で与えられる。ここで ED はドナー準位である。EF−ED≫kT が成り立つと仮定し,EF および n を EC,ED,NC,ND,k および T で表す式を求めよ。
题目描述
本题按给定状态密度和载流子密度公式作积分与代数计算。给定能量密度
g(E)=4π(h22mn)3/2(E−EC)1/2,f(E)=1+e(E−EF)/(kT)1(E≥EC).
定义 n=∫EC∞g(E)f(E)dE,并假设相关能量范围内 E−EF≫kT。
-
计算积分,写成 n=NCe−(EC−EF)/(kT),求 NC。
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求按密度 g(E)f(E) 加权的平均能量。
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给定施主密度 ND,且 n=ND,求 EF。
-
低温电子密度满足
n=ND[1−1+21e(ED−EF)/(kT)1].
假设 EF−ED≫kT,联立 (1) 的结果,用 EC,ED,NC,ND,k,T 表示 EF 与 n。
Kai
(1)
取 f(E)≃e−(E−EF)/(kT),令 u=(E−EC)/(kT),则
n=4π(h22mn)3/2(kT)3/2e−(EC−EF)/(kT)∫0∞u1/2e−udu.
由 Γ(3/2)=π/2,
NC=2(h22πmnkT)3/2.
(2)
⟨E⟩−EC=n∫EC∞(E−EC)g(E)f(E)dE=kTΓ(3/2)Γ(5/2)=23kT.
所以
⟨E⟩=EC+23kT.
(3)
由 ND=NCe(EF−EC)/(kT),取对数得
EF=EC+kTlnNCND.
(4)
令 q=21e(ED−EF)/(kT)≪1,则 n=NDq/(1+q)≃NDq。与 (1) 联立:
NCe(EF−EC)/(kT)≃2NDe(ED−EF)/(kT).
因此
EF≃2EC+ED+2kTln2NCND,n≃2NCNDe−(EC−ED)/(2kT).