跳到主要内容

東北大学 工学研究科 電気・情報系 2016年3月実施 専門科目 問題3 電子工学(積分・平均値)

Author

祭音Myyura (co-authored with GPT 5.6 SOL)

Description

日本語版

平衡状態にある半導体を考える。伝導帯の電子密度は

n=ECg(E)f(E)dE(3A)n=\int_{E_C}^{\infty}g(E)f(E)\,dE\tag{3A}

で求められる。ここで g(E)=4π(2mn/h2)3/2(EEC)1/2g(E)=4\pi(2m_n/h^2)^{3/2}(E-E_C)^{1/2} は伝導帯の電子の単位体積あたりの状態密度,f(E)=[1+exp((EEF)/kT)]1f(E)=[1+\exp((E-E_F)/kT)]^{-1} はフェルミ・ディラック分布関数であり,EE は電子のエネルギー,mnm_n は電子の有効質量,hh はプランク定数,ECE_C は伝導帯底のエネルギー,EFE_F はフェルミエネルギー,kk はボルツマン定数,TT は温度である。

E>ECE>E_C において EEFkTE-E_F\gg kT が成り立つと仮定し,以下の問に答えよ。

(1) 式 (3A) の積分を計算して以下の式を導き,有効状態密度 NCN_C の式を求めよ。

n=NCexp(ECEFkT)(3B)n=N_C\exp\left(-\frac{E_C-E_F}{kT}\right)\tag{3B}

(2) 伝導帯の電子の平均エネルギーを求めよ。

(3) ドナー密度が NDN_D である nn 型半導体を考える。n=NDn=N_D であるとき,EFE_F の式を求めよ。

(4) 低温において nn 型半導体中の電子密度は

n=ND[111+12exp{(EDEF)/kT}](3C)n=N_D\left[1-\frac1{1+\frac12\exp\{(E_D-E_F)/kT\}}\right]\tag{3C}

で与えられる。ここで EDE_D はドナー準位である。EFEDkTE_F-E_D\gg kT が成り立つと仮定し,EFE_F および nnEC,ED,NC,ND,kE_C,E_D,N_C,N_D,k および TT で表す式を求めよ。

题目描述

本题按给定状态密度和载流子密度公式作积分与代数计算。给定能量密度

g(E)=4π(2mnh2)3/2(EEC)1/2,f(E)=11+e(EEF)/(kT)(EEC).g(E)=4\pi\left(\frac{2m_n}{h^2}\right)^{3/2}(E-E_C)^{1/2},\qquad f(E)=\frac1{1+e^{(E-E_F)/(kT)}}\quad(E\ge E_C).

定义 n=ECg(E)f(E)dEn=\int_{E_C}^{\infty}g(E)f(E)\,dE,并假设相关能量范围内 EEFkTE-E_F\gg kT

  1. 计算积分,写成 n=NCe(ECEF)/(kT)n=N_C e^{-(E_C-E_F)/(kT)},求 NCN_C

  2. 求按密度 g(E)f(E)g(E)f(E) 加权的平均能量。

  3. 给定施主密度 NDN_D,且 n=NDn=N_D,求 EFE_F

  4. 低温电子密度满足

n=ND[111+12e(EDEF)/(kT)].n=N_D\left[1-\frac1{1+\frac12e^{(E_D-E_F)/(kT)}}\right].

假设 EFEDkTE_F-E_D\gg kT,联立 (1) 的结果,用 EC,ED,NC,ND,k,TE_C,E_D,N_C,N_D,k,T 表示 EFE_Fnn

Kai

(1)

f(E)e(EEF)/(kT)f(E)\simeq e^{-(E-E_F)/(kT)},令 u=(EEC)/(kT)u=(E-E_C)/(kT),则

n=4π(2mnh2)3/2(kT)3/2e(ECEF)/(kT)0u1/2eudu.n=4\pi\left(\frac{2m_n}{h^2}\right)^{3/2}(kT)^{3/2}e^{-(E_C-E_F)/(kT)} \int_0^\infty u^{1/2}e^{-u}\,du.

Γ(3/2)=π/2\Gamma(3/2)=\sqrt\pi/2

NC=2(2πmnkTh2)3/2.\boxed{N_C=2\left(\frac{2\pi m_nkT}{h^2}\right)^{3/2}.}

(2)

EEC=EC(EEC)g(E)f(E)dEn=kTΓ(5/2)Γ(3/2)=32kT.\langle E\rangle-E_C= \frac{\int_{E_C}^\infty(E-E_C)g(E)f(E)\,dE}{n} =kT\frac{\Gamma(5/2)}{\Gamma(3/2)}=\frac32kT.

所以

E=EC+32kT.\boxed{\langle E\rangle=E_C+\frac32kT.}

(3)

ND=NCe(EFEC)/(kT)N_D=N_C e^{(E_F-E_C)/(kT)},取对数得

EF=EC+kTlnNDNC.\boxed{E_F=E_C+kT\ln\frac{N_D}{N_C}.}

(4)

q=12e(EDEF)/(kT)1q=\frac12e^{(E_D-E_F)/(kT)}\ll1,则 n=NDq/(1+q)NDqn=N_Dq/(1+q)\simeq N_Dq。与 (1) 联立:

NCe(EFEC)/(kT)ND2e(EDEF)/(kT).N_C e^{(E_F-E_C)/(kT)}\simeq\frac{N_D}2e^{(E_D-E_F)/(kT)}.

因此

EFEC+ED2+kT2lnND2NC,nNCND2e(ECED)/(2kT).\boxed{E_F\simeq\frac{E_C+E_D}{2}+\frac{kT}{2}\ln\frac{N_D}{2N_C},\qquad n\simeq\sqrt{\frac{N_CN_D}{2}}e^{-(E_C-E_D)/(2kT)}.}