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大阪大学 基礎工学研究科 電子光科学 (システム創成専攻) 2016年度 電子光科学 [II-4]

Author​

祭音Myyura (co-authored with GPT 5.6 SOL)

Description​

図1は2入力 A,BA,B、出力 VOV_O をもつ CMOS 回路のレイアウトである。電源電圧は VDDV_{DD}、グランドは GND として記載されている。なおゲートはポリシリコンで作製されているものとする。以下の問に答えよ。(配点15点)

(1) 図1の CMOS 回路のサブストレートは、VOV_O、VDDV_{DD}、GND のいずれに接続されるべきか。あるいは、どこにも接続されるべきではないかを答えよ。

(2) 図1の CMOS 回路のレイアウトに対応する回路図を描け。このとき、入力 A,BA,B、出力 VOV_O、電源電圧(VDDV_{DD})、グランド(GND)も書き示し、n-MOSFET、p-MOSFET の回路記号として、図2に記載のものを使用すること。

(3) H レベル信号、L レベル信号を各々1、0と対応させたとき、図1の回路の論理式を書け。

図1:CMOS 回路のレイアウト

図2:n-MOSFET と p-MOSFET の回路記号

题目描述​

图1为具有两个输入 A,BA,B 和一个输出 VOV_O 的 CMOS 电路版图。电源电压记为 VDDV_{DD},地记为 GND。设栅极由多晶硅制成,回答下列问题。(15分)

(1) 图1电路的衬底应连接到 VOV_O、VDDV_{DD}、GND 中的哪一个,还是不应与其中任何一个连接?

(2) 画出图1版图对应的电路图,同时标明输入 A,BA,B、输出 VOV_O、电源电压 VDDV_{DD} 和 GND。n-MOSFET、p-MOSFET 必须使用图2给出的电路符号。

(3) 将 H、L 电平分别对应于1、0,写出图1电路的逻辑表达式。

Kai​

(1)​

VDD\boxed{V_{\mathrm{DD}}} に接続する。n型サブストレートを最高電位に保つことで、pMOSのp型ソース・ドレインとのpn接合が順方向に導通するのを防ぐ。nMOSを置くpウェルはGNDに接続する。

(2)​

pMOSの2枝を並列、nMOSの2個を直列に接続する。上側の各枝は少なくとも一方の入力がLのとき導通し、下側の経路は両入力がHのときだけ導通する。

2入力CMOS NAND回路

(3)​

A=B=1A=B=1 のときだけnMOSの直列経路が導通して VO=0V_O=0 となる。それ以外では少なくとも一方のpMOSが導通して VO=1V_O=1 となる。したがって、2入力NAND回路であり、

VO=AB‾.\boxed{V_O=\overline{AB}}.

Reference​