九州大学 理学府 物理学専攻 2019年8月実施 物理学 [II]
Author
Miyake
Description
題意の要約。
真空の誘電率と透磁率を ε0,μ0 とし、直交座標の単位ベクトルを ex,ey,ez、球座標の単位ベクトルを er,eθ,eϕ とする。
[A-I]
原点から距離 r、+z 軸との極角 θ の点 P を考える。
- 原点の点電荷 q が作る静電ポテンシャル Φ0 を求める。
- 点電荷 q を (0,0,d) に移した場合の Φ1 を求める。
- d/r≪1 として、Φ1−Φ0 を d/r の一次まで展開し、Φd とする。
- Φd を +z 方向の電気双極子 p=qd のポテンシャルとみなし、電場の r 成分を求める。
球座標では ∇Φ=er∂rΦ+eθr−1∂θΦ+eϕ(rsinθ)−1∂ϕΦ を使える。
[A-II]
- 一様電場 E0=E0ez に対する P のポテンシャル Φu を求める。原点のポテンシャルは 0 とする。
- 総電荷 0、半径 a の導体球を原点に置く。外部ポテンシャルを Φ=Φu+Φd とし、球面の境界条件から感応双極子の大きさ p を求める。
- 球面の電荷密度 σ(θ) を求める。
[B-I]
媒質 I を z<0、媒質 II を z>0 とし、平面 z=0 に +y 方向の面電流密度 jy がある。HxII(0+)−HxI(0−)=jy を電磁気学の法則から示す。
[B-II]
真空中で原点を中心とする半径 a の球面に、z 軸対称なコイルを巻く。球内を領域 I、外部を II とし、透磁率はともに μ0 とする。球内に一様磁場
H0=H0ez=H0cosθer−H0sinθeθ
を作るため、巻線密度を調節して面電流 j=j(θ)eϕ を流す。電流のない球外で磁気スカラーポテンシャル Φm を定義し、B=−∇Φm とする。
- Maxwell 方程式から ∇2Φm=0 を示す。
- 法線磁束密度の連続性による角依存性から Φm=μ0AR(r)cosθ とおく。R(r)=rn を Laplace 方程式に代入して n を求める。ただし R(∞)=0。
- r=a で Hr=H0cosθ となる条件から A を求める。
- 球面の境界条件 HθII−HθI=j(θ) から面電流密度を求める。
出典:九州大学 令和2年度 物理学II。

题目描述
真空的介电常数、磁导率分别为 ε0,μ0。
A-I(电偶极子):以球坐标 (r,θ) 表示场点,θ 从 +z 轴量起。
- 求位于原点的点电荷 q 的电势 Φ0。
- 求将该电荷移至 (0,0,d) 后的电势 Φ1。
- 在 d/r≪1 时,将 Φ1−Φ0 展开到一阶,记为 Φd。
- 将 Φd 看成沿 +z 方向、偶极矩为 p=qd 的电偶极子电势,求电场径向分量。
A-II(均匀电场中的导体球):
- 对沿 +z 方向的均匀电场 E0=E0ez,求电势 Φu,取原点电势为零。
- 原点处放置半径为 a、总电荷为零的导体球。设球外电势为 Φu+Φd,根据球面边界条件求感应偶极矩 p。
- 求球面电荷密度 σ(θ)。
B-I(面电流边界条件):区域 I 为 z<0,区域 II 为 z>0,界面 z=0 上沿 +y 方向有面电流密度 jy。证明
HxII(0+)−HxI(0−)=jy.
B-II(球面线圈):真空中以原点为球心、半径为 a 的球面上绕有轴对称线圈。调节沿 eϕ 方向的面电流密度 j(θ),使球内(区域 I)产生均匀磁场 H0=H0ez。在无电流的球外(区域 II)定义磁标势,使 B=−∇Φm。
- 由 Maxwell 方程证明 ∇2Φm=0。
- 设 Φm=μ0AR(r)cosθ、R(r)=rn,代入 Laplace 方程求满足 R(∞)=0 的 n。
- 由球面处 Hr=H0cosθ 求常数 A。
- 由 HθII−HθI=j(θ) 求面电流密度。
Kai
[A-I]
(1)
Φ0=4πε0rq
(2)
Φ1=4πε0r2sin2θ+(rcosθ−d)2q=4πε0r2−2drcosθ+d2q
(3)
(2) より、 d/r の1次までで
Φ1=4πε0rq(1−r2dcosθ+r2d2)−1/2≃4πε0rq(1+rdcosθ)
であるから、
Φd=4πε0r2qdcosθ
である。
(4)
Er=(−∇Φd)⋅er=−∂r∂Φd=2πε0r3pcosθ
[A-II]
(1)
∇Φu=−E0=−E0ez
から、適当な定数 c を使って、
Φu=−E0z+c
と書けることがわかるが、原点で Φu=0 であることから c=0 がわかり、
Φu=−E0z=−E0rcosθ
を得る。
(2)
[A-II] (1) と [A-I] (3) から
Φ=Φu+Φd=−E0rcosθ+4πε0r2pcosθ=4πε0r2−4πε0E0r3+pcosθ
がわかるが、r=a でこれが θ によらない定数になることから、
p=4πε0E0a3
を得る。
(3)
r≥a において、(2) より
Φ=(−r+r2a3)E0cosθ
なので、 r 方向の電場 Er=Er(r,θ) について
Er(r,θ)∴ Er(a,θ)=−∂r∂Φ=(1+r32a3)E0cosθ=3E0cosθ
がわかる。
そこで、電場に関するガウスの法則を導体表面に適用して、
σ=ε0Er(a,θ)=3ε0E0cosθ
を得る。
[B-I]
例えば、 a>0,b>0 として、
4点 (0,0,b),(a,0,b),(a,0,−b),(0,0,−b) を頂点とする長方形を考える。
この長方形の向きに対応する法線は +y 方向であり、貫く電流は ajy であるから、
この長方形に関してアンペールの法則を適用すると、
aHxII(z=b)+∫b0dz HzII+∫0−bdz HzI−aHxI(z=−b)+∫−b0dz HzI+∫0bdz HzII∴ HxII(z=b)−HxI(z=−b)+a1∫b0dz HzII+a1∫0−bdz HzI+a1∫−b0dz HzI+a1∫0bdz HzII=ajy=jy
となるが、ここで b→+0 とすると、題意の式を得る。
[B-II]
(1)
磁束に関する Gauss の法則 ∇⋅B=0 と B=−∇Φm から、∇2Φm=0 となる。
(2)
ϕ への依存性はなく、Φm=μ0Arncosθ を代入すると
∇2Φm=μ0A{n(n+1)−2}rn−2cosθ=0.
したがって n=1,−2 であり、無限遠で消える解は n=−2 である。よって Φm=μ0Acosθ/r2。
(3)
HrII=−μ01∂r∂Φm=r32Acosθ.
r=a で HrII=H0cosθ だから、A=H0a3/2 となる。
(4)
HθII=−μ0r1∂θ∂Φm=r3Asinθ.
r=a では HθII=21H0sinθ、HθI=−H0sinθ なので、
j(θ)=23H0sinθ.