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京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 2020年度 問題III-2-AB

Author​

祭音Myyura (refined with GPT 6 Astra)

Description​

III-2A​

平面を運動する物体が、進行方向に対して常に右へ 90∘90^\circ の単位ベクトル n\boldsymbol n の向きに質量を放出する。時刻 tt の質量と速度を m(t),V(t)m(t),\boldsymbol V(t) とし、∣V(0)∣=V0|\boldsymbol V(0)|=V_0。時間 dtdt に放出する質量は αm(t)dt\alpha m(t)dt、α>0\alpha>0、相対放出速度は unu\boldsymbol n とする。内部構造は考えない。

  1. 時刻 tt と t+dtt+dt の運動量保存を書け。
  2. 運動方程式 m dV/dtm\,d\boldsymbol V/dt を求めよ。
  3. 速さを求めよ。
  4. 軌道の曲率半径 ρ(t)\rho(t) を求めよ。

III-2B​

図1のように、接地された導体の内部に半径 aa の球状真空空洞があり、その中心に電気双極子を置く。p=qs=pez\boldsymbol p=q\boldsymbol s=p\boldsymbol e_z、s\boldsymbol s は電荷 −q-q から +q+q へのベクトルとする。真空の誘電率は ε0\varepsilon_0。球座標の極角 θ\theta は +z+z 軸から測る。SI 単位系を用いる。

原題 図1:接地導体の球状空洞内の電気双極子

  1. 導体がない場合の双極子電位 ϕdi(r,θ)\phi_{\rm di}(r,\theta) を、r≫sr\gg s で s/rs/r の一次まで求めよ。
  2. 空洞表面の誘導電荷が作る電位は
ϕin=(A0+B0r)+(A1r+B1r2)cos⁡θ\phi_{\rm in}=\left(A_0+\frac{B_0}r\right)+\left(A_1r+\frac{B_1}{r^2}\right)\cos\theta

と書ける。定数を決定し、空洞内の全電位を求めよ。 3. 空洞表面に誘起される電荷密度を求めよ。

题目描述​

A:平面运动物体持续向速度右侧垂直喷出物质,喷出质量率为 αm\alpha m,相对速度 unu\boldsymbol n,初速大小 V0V_0。求动量收支、运动方程、速率和曲率半径。

B:如上方图1,接地导体的半径 aa 球形真空空腔中心放置沿 +z+z 的电偶极子 p=qs\boldsymbol p=q\boldsymbol s。(1) 求无导体时的一阶远场偶极电势;(2) 由给定轴对称形式确定诱导电势和总电势;(3) 求空腔内壁的感应面电荷密度。

Kai​

III-2A​

(1) 放出物の実験室系での速度は V+un\boldsymbol V+u\boldsymbol n である。従って

mV=(m−αmdt)(V+dV)+αmdt(V+un).m\boldsymbol V=(m-\alpha mdt)(\boldsymbol V+d\boldsymbol V) +\alpha mdt(\boldsymbol V+u\boldsymbol n).

(2) 一次の項を整理して

mV˙=−αmun,m(t)=m(0)e−αt.\boxed{m\dot{\boldsymbol V}=-\alpha mu\boldsymbol n,\qquad m(t)=m(0)e^{-\alpha t}.}

(3) V⋅n=0\boldsymbol V\cdot\boldsymbol n=0 なので d∣V∣2/dt=0d|\boldsymbol V|^2/dt=0。よって ∣V(t)∣=V0\boxed{|\boldsymbol V(t)|=V_0}。

(4) 法線加速度の大きさが αu\alpha u なので

ρ(t)=V02αu.\boxed{\rho(t)=\frac{V_0^2}{\alpha u}.}

V0>0,u>0V_0>0,u>0 なら一定半径で左へ曲がる円運動となる。

III-2B​

(1) 二電荷の電位を一次まで展開して

ϕdi=q4πε0(1∣r−s/2∣−1∣r+s/2∣)≃pcos⁡θ4πε0r2.\phi_{\rm di}=\frac q{4\pi\varepsilon_0} \left(\frac1{|\boldsymbol r-\boldsymbol s/2|}-\frac1{|\boldsymbol r+\boldsymbol s/2|}\right) \simeq\boxed{\frac{p\cos\theta}{4\pi\varepsilon_0r^2}}.

(2) 表面電荷だけの作る ϕin\phi_{\rm in} は原点で正則なので B0=B1=0B_0=B_1=0。接地条件 ϕdi(a,θ)+ϕin(a,θ)=0\phi_{\rm di}(a,\theta)+\phi_{\rm in}(a,\theta)=0 から

A0=0,A1=−p4πε0a3,ϕ(r,θ)=p4πε0(1r2−ra3)cos⁡θ.\boxed{A_0=0,\quad A_1=-\frac p{4\pi\varepsilon_0a^3},\qquad \phi(r,\theta)=\frac p{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac1{r^2}-\frac r{a^3}\right)\cos\theta.}

(3) 導体から空洞へ向く法線は −er-\boldsymbol e_r である。従って

σ=ε0E(a−)⋅(−er)=ε0∂ϕ∂r∣a−=−3p4πa3cos⁡θ.\sigma=\varepsilon_0\boldsymbol E(a^-)\cdot(-\boldsymbol e_r) =\varepsilon_0\left.\frac{\partial\phi}{\partial r}\right|_{a^-} =\boxed{-\frac{3p}{4\pi a^3}\cos\theta}.

正電荷側の壁に負の電荷が誘起され、全球面の積分はゼロとなる。

Reference​