京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 2014年9月実施 II-3
Author
祭音Myyura (refined with GPT 6 Astra)
Description
物質中の電子(質量 m)の状態を考えよう。電子スピンは、z 軸を量子化軸とし sz=±1/2 の2方向しか取れない状態にある。この電子の集まり(“電子系”とよぶ)をスピンを持つ自由粒子の系と考える。以下では電子の電荷の効果は無視する。この電子系は N 個の電子からなり、体積 V の容器に入っているとする。電子の1粒子状態は運動量空間に一様な密度 V/(2πℏ)3 で分布している。スピン自由度も考慮すると、密度は 2V/(2πℏ)3 となる。絶対零度では、電子は3次元運動量空間において原点を中心に描いた半径 pF の球の内部の状態を満たし、pF の大きさは内部の状態数が全電子数 N に等しいという条件から求めることができる。pF をフェルミ運動量、ϵF=pF2/(2m) をフェルミエネルギーとよぶ。
(1) フェルミ運動量 pF とフェルミエネルギー ϵF を N,V,m,ℏ を用いて求めよ。また D(ϵF)=dN/dϵF で定義される状態密度 D(ϵF) を求めよ。
(2) 絶対零度における電子系の全運動エネルギー U0 は N,ϵF を用いて
U0=∫0ϵFϵD(ϵ)dϵ=a0NϵF
と表される。a0 の値を求めよ。
(3) フェルミ気体とみなせる電子系の圧力は P=−(dU0/dV) で定義されるとし、電子系の PV を U0 を用いて表せ。ただし、全粒子数 N は一定とする。
次に、フェルミ縮退をしている N 電子系の絶対零度における磁化 M を以下の手順で求めよう。電子スピン sz=±1/2 は磁気モーメント ∓μB を持ち、外部磁場 B(>0) の下でのゼーマンエネルギーは ±μBB である。磁場 B における sz=1/2 の電子、sz=−1/2 の電子の数をそれぞれ、N+=N(1−α)/2, N−=N(1+α)/2 とする(α>0)。
(4) 有限磁場での sz=1/2 の電子系が持つ運動エネルギー E+ を、磁場 B=0 のときのフェルミエネルギー ϵF、および N,α を用いて表せ。同様に、sz=−1/2 の電子系が持つ運動エネルギー E− を求めよ。
(5) 電子系の全ゼーマンエネルギー EZ を N,B,μB,α を用いて表せ。
(6) 電子系の全エネルギーを Etot=E++E−+EZ とする。μBB≪ϵF のとき Etot は α≪1 で最小値をとる。Etot を最小にする α を求め、これに対応する電子系の磁化 M を ϵF,N,B,μB を用いて表せ。
さらに、この N 電子系の電子間に次のような相互作用が働くとする。すなわちスピンが平行な電子間の相互作用エネルギーを −J(J≥0) とし、スピンが反平行な電子間には相互作用は働かないとする。
(7) N≫1 の条件下で、sz=1/2 の電子間に働く全相互作用エネルギーはどのように表されるか。J,N,α を用いて表示せよ。
(8) 電子系の全エネルギー Etot に、スピン間に働く相互作用も考慮した全エネルギーを Etot とする。μBB≪ϵF, NJ≪ϵF のとき Etot は α≪1 で最小値をとる。Etot を最小にする α を求め、対応する磁化 M を ϵF,N,B,μB,J を用いて表せ。
题目描述
考虑物质中电子(质量为 m)的状态。以 z 轴为量子化轴,电子自旋只能取 sz=±1/2 两个方向。将这一电子集合(称为“电子系”)视为具有自旋的自由粒子系统。以下忽略电子电荷的作用。系统由 N 个电子组成,置于体积为 V 的容器内。电子的单粒子态在动量空间以均匀密度 V/(2πℏ)3 分布;计入自旋自由度后,密度为 2V/(2πℏ)3。在绝对零度下,电子填满三维动量空间中以原点为球心、半径为 pF 的球内部的状态。由球内状态数等于总电子数 N 的条件可求出 pF。称 pF 为费米动量,ϵF=pF2/(2m) 为费米能量。
(1) 用 N,V,m,ℏ 求费米动量 pF 和费米能量 ϵF,并求由 D(ϵF)=dN/dϵF 定义的态密度 D(ϵF)。
(2) 绝对零度下,电子系的总动能 U0 可用 N,ϵF 表示为
U0=∫0ϵFϵD(ϵ)dϵ=a0NϵF.
求 a0 的值。
(3) 将电子系视为费米气体,并将压强定义为 P=−(dU0/dV),用 U0 表示电子系的 PV。总粒子数 N 保持不变。
接着按以下步骤求费米简并的 N 电子系在绝对零度下的磁化 M。电子自旋 sz=±1/2 具有磁矩 ∓μB,在外磁场 B(>0) 中的塞曼能为 ±μBB。磁场 B 下,自旋 sz=1/2 和 sz=−1/2 的电子数分别为 N+=N(1−α)/2, N−=N(1+α)/2,其中 α>0。
(4) 用零磁场 B=0 时的费米能量 ϵF 及 N,α,表示有限磁场中 sz=1/2 电子系的动能 E+。同样求出 sz=−1/2 电子系的动能 E−。
(5) 用 N,B,μB,α 表示电子系的总塞曼能 EZ。
(6) 设电子系的总能量为 Etot=E++E−+EZ。当 μBB≪ϵF 时,Etot 在 α≪1 处取得最小值。求使 Etot 最小的 α,并用 ϵF,N,B,μB 表示相应的磁化 M。
进一步设该 N 电子系的电子间存在如下相互作用:自旋平行的电子间相互作用能为 −J(J≥0),自旋反平行的电子间没有相互作用。
(7) 在 N≫1 的条件下,sz=1/2 电子之间的总相互作用能如何表示?用 J,N,α 写出表达式。
(8) 在电子系总能量 Etot 的基础上,再计入自旋间相互作用,记所得总能量为 Etot。当 μBB≪ϵF, NJ≪ϵF 时,Etot 在 α≪1 处取得最小值。求使 Etot 最小的 α,并用 ϵF,N,B,μB,J 表示相应的磁化 M。
Kai
(1)
N=(2πℏ)32V34πpF3,pF=ℏ(V3π2N)1/3,
ϵF=2mℏ2(V3π2N)2/3,D(ϵF)=2ϵF3N.
より一般に D(ϵ)=2ϵF3/23Nϵ。
(2)
U0=2ϵF3/23N∫0ϵFϵ3/2dϵ=53NϵF,a0=53.
(3)
N 一定では U0∝V−2/3 より
PV=32U0.
(4)
スピン一方向のフェルミ運動量は pF(1∓α)1/3 であるから
E±=103NϵF(1∓α)5/3.
(5)
EZ=(N+−N−)μBB=−NαμBB.
(6)
Etot=53NϵF+31NϵFα2−NμBBα+O(α4).
微分をゼロとして
α=2ϵF3μBB,M=(N−−N+)μB=NαμB=2ϵF3NμB2B.
ここで M は体積で割らない全磁気モーメントである。
(7)
同じ電子対を二重に数えず
Eint+=−2JN+(N+−1)≃−8JN2(1−α)2.
(8)
両スピンを加えると Eint≃−JN2(1+α2)/4。したがって
Etot=定数+N(3ϵF−4JN)α2−NμBBα+O(α4).
仮定より二次係数は正であり、
α=2ϵF3μBB(1−4ϵF3JN)−1,M=2ϵF3NμB2B(1−4ϵF3JN)−1.
同方向スピンを有利にする相互作用は磁化率を増大させる。
Reference