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京都大学 理学研究科 物理学・宇宙物理学専攻 2014年9月実施 III-1

Author​

祭音Myyura (refined with GPT 6 Astra)

Description​

Maxwell 方程式は電磁場の基本方程式であり、すべての電磁気的現象は下に示す4つの方程式によって記述される。

∇⋅D(r,t)=ρ(r,t),∇⋅B(r,t)=0,∇×H(r,t)−∂D∂t=j(r,t),∇×E(r,t)+∂B∂t=0.\begin{aligned} \nabla\cdot\boldsymbol D(\boldsymbol r,t)&=\rho(\boldsymbol r,t),\\ \nabla\cdot\boldsymbol B(\boldsymbol r,t)&=0,\\ \nabla\times\boldsymbol H(\boldsymbol r,t)-\frac{\partial\boldsymbol D}{\partial t}&=\boldsymbol j(\boldsymbol r,t),\\ \nabla\times\boldsymbol E(\boldsymbol r,t)+\frac{\partial\boldsymbol B}{\partial t}&=\boldsymbol0. \end{aligned}

E\boldsymbol E と D\boldsymbol D(H\boldsymbol H と B\boldsymbol B)は、それぞれ電場強度と電束密度(磁場強度と磁束密度)であり、誘電率 ϵ\epsilon(透磁率 μ\mu)により D=ϵE\boldsymbol D=\epsilon\boldsymbol E(B=μH\boldsymbol B=\mu\boldsymbol H)として関連付けられる。また、j\boldsymbol j と ρ\rho は空間的に分布する電流密度と電荷密度である。

図1に示すように誘電率と透磁率がそれぞれ (ϵ1,μ1),(ϵ2,μ2)(\epsilon_1,\mu_1),(\epsilon_2,\mu_2) である誘電体1と誘電体2が境界面(z=0z=0)において接触している場合を考える。ただし、ϵ1<ϵ2\epsilon_1<\epsilon_2 であり、誘電体はどちらも帯電していないものとする。図1は zxzx 平面を示した図であり、yy 軸は紙面に対して上向きに定義されている。

図1:2つの誘電体の境界面と座標(原題)

(1) 誘電体1の内部における電磁場の強度

E1=(E1x,E1y,E1z),B1=(B1x,B1y,B1z)\boldsymbol E_1=(E_{1x},E_{1y},E_{1z}),\quad\boldsymbol B_1=(B_{1x},B_{1y},B_{1z})

と誘電体2の内部における電磁場の強度

E2=(E2x,E2y,E2z),B2=(B2x,B2y,B2z)\boldsymbol E_2=(E_{2x},E_{2y},E_{2z}),\quad\boldsymbol B_2=(B_{2x},B_{2y},B_{2z})

とが境界面上において満たすすべき境界条件を、Maxwell 方程式に基づいて導け。

(2) ρ(r,t)=0\rho(\boldsymbol r,t)=0 であり、かつ、j(r,t)=0\boldsymbol j(\boldsymbol r,t)=\boldsymbol0 である領域において、電場強度 E(r,t)\boldsymbol E(\boldsymbol r,t) が満たすすべき波動方程式を Maxwell 方程式に基づいて導け。

この誘電体の境界面に対し、図2に示すように、誘電体1の側から電磁波 AA が y=0y=0 の面内を角度 ϕ  (0<ϕ<π/2)\phi\;(0<\phi<\pi/2) で入射して、境界面上で反射波 A′A' と屈折波 A′′A'' が発生する状況を考える。入射波の電場が

E(r,t)=Iei(k⋅r−ωt)\boldsymbol E(\boldsymbol r,t)=\boldsymbol I e^{i(\boldsymbol k\cdot\boldsymbol r-\omega t)}

で与えられるとき、以下の問いに答えよ。ただし、I\boldsymbol I は電場の振幅を与える定ベクトルである。

図2:入射波・反射波・屈折波(原題)

(3) 入射波の位相速度 v\boldsymbol v の絶対値を ϵ1\epsilon_1 と μ1\mu_1 を用いて表せ。また、この位相速度 v\boldsymbol v と電場の振幅ベクトル I\boldsymbol I が成す角を求めよ。

(4) 入射波の磁場 B(r,t)\boldsymbol B(\boldsymbol r,t) を求めよ。

反射波 A′A' と屈折波 A′′A'' の電場をそれぞれ、

E′(r,t)=Rei(k′⋅r−ω′t),E′′(r,t)=Fei(k′′⋅r−ω′′t)\begin{aligned} \boldsymbol E'(\boldsymbol r,t)&=\boldsymbol R e^{i(\boldsymbol k'\cdot\boldsymbol r-\omega't)},\\ \boldsymbol E''(\boldsymbol r,t)&=\boldsymbol F e^{i(\boldsymbol k''\cdot\boldsymbol r-\omega''t)} \end{aligned}

とおくことにする。

(5) 問 (1) で得た境界条件は、境界面上の任意の点において常に満たされていなければならない。この事実に基づいて、反射角 ϕ′\phi' と屈折角 χ\chi を ϕ,ϵ1,μ1,ϵ2,μ2\phi,\epsilon_1,\mu_1,\epsilon_2,\mu_2 のうち必要なものを用いて表せ。

题目描述​

麦克斯韦方程是电磁场的基本方程,所有电磁现象均由以下四个方程描述:

∇⋅D(r,t)=ρ(r,t),∇⋅B(r,t)=0,∇×H(r,t)−∂D∂t=j(r,t),∇×E(r,t)+∂B∂t=0.\begin{aligned} \nabla\cdot\boldsymbol D(\boldsymbol r,t)&=\rho(\boldsymbol r,t),\\ \nabla\cdot\boldsymbol B(\boldsymbol r,t)&=0,\\ \nabla\times\boldsymbol H(\boldsymbol r,t)-\frac{\partial\boldsymbol D}{\partial t}&=\boldsymbol j(\boldsymbol r,t),\\ \nabla\times\boldsymbol E(\boldsymbol r,t)+\frac{\partial\boldsymbol B}{\partial t}&=\boldsymbol0. \end{aligned}

E\boldsymbol E 和 D\boldsymbol D(H\boldsymbol H 和 B\boldsymbol B)分别为电场强度和电位移(磁场强度和磁感应强度),通过介电常数 ϵ\epsilon(磁导率 μ\mu)以 D=ϵE\boldsymbol D=\epsilon\boldsymbol E(B=μH\boldsymbol B=\mu\boldsymbol H)相联系。j\boldsymbol j 和 ρ\rho 分别为空间分布的电流密度和电荷密度。

如图1,考虑介电常数和磁导率分别为 (ϵ1,μ1)(\epsilon_1,\mu_1)、(ϵ2,μ2)(\epsilon_2,\mu_2) 的电介质1和电介质2在边界面 z=0z=0 接触的情形。其中 ϵ1<ϵ2\epsilon_1<\epsilon_2,两种介质均不带电。图1展示 zxzx 平面,yy 轴定义为垂直纸面向外的方向。

(1) 电介质1内部的电磁场为

E1=(E1x,E1y,E1z),B1=(B1x,B1y,B1z),\boldsymbol E_1=(E_{1x},E_{1y},E_{1z}),\quad\boldsymbol B_1=(B_{1x},B_{1y},B_{1z}),

电介质2内部的电磁场为

E2=(E2x,E2y,E2z),B2=(B2x,B2y,B2z).\boldsymbol E_2=(E_{2x},E_{2y},E_{2z}),\quad\boldsymbol B_2=(B_{2x},B_{2y},B_{2z}).

根据麦克斯韦方程,推导这些场在边界面上应满足的边界条件。

(2) 在 ρ(r,t)=0\rho(\boldsymbol r,t)=0 且 j(r,t)=0\boldsymbol j(\boldsymbol r,t)=\boldsymbol0 的区域内,根据麦克斯韦方程推导电场强度 E(r,t)\boldsymbol E(\boldsymbol r,t) 应满足的波动方程。

如图2,电磁波 AA 从电介质1一侧,在 y=0y=0 平面内以角度 ϕ  (0<ϕ<π/2)\phi\;(0<\phi<\pi/2) 入射到介质边界,并在边界面产生反射波 A′A' 和折射波 A′′A''。设入射波的电场为

E(r,t)=Iei(k⋅r−ωt),\boldsymbol E(\boldsymbol r,t)=\boldsymbol I e^{i(\boldsymbol k\cdot\boldsymbol r-\omega t)},

其中 I\boldsymbol I 为给出电场振幅的常向量,回答下列问题。

(3) 用 ϵ1,μ1\epsilon_1,\mu_1 表示入射波相速度 v\boldsymbol v 的大小,并求相速度 v\boldsymbol v 与电场振幅向量 I\boldsymbol I 的夹角。

(4) 求入射波的磁场 B(r,t)\boldsymbol B(\boldsymbol r,t)。

将反射波 A′A' 和折射波 A′′A'' 的电场分别记为

E′(r,t)=Rei(k′⋅r−ω′t),E′′(r,t)=Fei(k′′⋅r−ω′′t).\begin{aligned} \boldsymbol E'(\boldsymbol r,t)&=\boldsymbol R e^{i(\boldsymbol k'\cdot\boldsymbol r-\omega't)},\\ \boldsymbol E''(\boldsymbol r,t)&=\boldsymbol F e^{i(\boldsymbol k''\cdot\boldsymbol r-\omega''t)}. \end{aligned}

(5) 问 (1) 所得的边界条件必须在边界面上任意一点、任意时刻成立。利用这一事实,从 ϕ,ϵ1,μ1,ϵ2,μ2\phi,\epsilon_1,\mu_1,\epsilon_2,\mu_2 中选择必要的量,表示反射角 ϕ′\phi' 和折射角 χ\chi。

Kai​

(1)​

境界をまたぐ高さが微小な長方形に回転の方程式を積分すると、接線成分について

E1x=E2x,E1y=E2y,B1xμ1=B2xμ2,B1yμ1=B2yμ2.\boxed{E_{1x}=E_{2x},\quad E_{1y}=E_{2y},\quad \frac{B_{1x}}{\mu_1}=\frac{B_{2x}}{\mu_2},\quad \frac{B_{1y}}{\mu_1}=\frac{B_{2y}}{\mu_2}}.

また薄い円柱に発散の方程式を積分すると

ϵ1E1z=ϵ2E2z,B1z=B2z.\boxed{\epsilon_1E_{1z}=\epsilon_2E_{2z},\qquad B_{1z}=B_{2z}}.

自由表面電荷・表面電流がないことを使った。

(2)​

∇⋅E=0\nabla\cdot\boldsymbol E=0 と ∇×B=μϵ∂tE\nabla\times\boldsymbol B=\mu\epsilon\partial_t\boldsymbol E より

−∇2E=∇×(∇×E)=−μϵ∂t2E.-\nabla^2\boldsymbol E=\nabla\times(\nabla\times\boldsymbol E) =-\mu\epsilon\partial_t^2\boldsymbol E.

したがって

∇2E−μϵ∂t2E=0.\boxed{\nabla^2\boldsymbol E-\mu\epsilon\partial_t^2\boldsymbol E=0}.

(3)​

平面波を代入すると k2=ϵ1μ1ω2k^2=\epsilon_1\mu_1\omega^2。また ∇⋅E=0\nabla\cdot\boldsymbol E=0 より k⋅I=0\boldsymbol k\cdot\boldsymbol I=0。

∣v∣=1ϵ1μ1,∠(v,I)=π2.\boxed{|\boldsymbol v|=\frac1{\sqrt{\epsilon_1\mu_1}},\qquad \angle(\boldsymbol v,\boldsymbol I)=\frac\pi2}.

(4)​

ファラデーの法則から ik×E=iωBi\boldsymbol k\times\boldsymbol E=i\omega\boldsymbol B なので

B(r,t)=k×Iωei(k⋅r−ωt).\boxed{\boldsymbol B(\boldsymbol r,t)=\frac{\boldsymbol k\times\boldsymbol I}{\omega} e^{i(\boldsymbol k\cdot\boldsymbol r-\omega t)}}.

(5)​

境界上で位相が一致するには

ω=ω′=ω′′,k∥=k∥′=k∥′′.\omega=\omega'=\omega'',\qquad \boldsymbol k_\parallel=\boldsymbol k'_\parallel=\boldsymbol k''_\parallel.

同一媒質内では ∣k∣=∣k′∣|\boldsymbol k|=|\boldsymbol k'| なので

ϕ′=ϕ,sin⁡χ=ϵ1μ1ϵ2μ2sin⁡ϕ.\boxed{\phi'=\phi,\qquad \sin\chi=\sqrt{\frac{\epsilon_1\mu_1}{\epsilon_2\mu_2}}\sin\phi}.

伝播する屈折波がある場合、χ\chi は右辺の逆正弦である。右辺が 1 を超えると実数の屈折角はなく、全反射となって媒質 2 側には減衰波が生じる。ϵ1<ϵ2\epsilon_1<\epsilon_2 だけでは、透磁率が異なる場合まで全反射を排除できない。

Reference​