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東京工業大学 工学院 電気電子系 2019年8月実施 電磁気学2

Author​

Zero

Description​

直流電流の作る磁界に関する,以下の設問 (1) および (2)に答えよ。

(1) x−yx-y 平面上で,原点 O を中心とする半径 aa の円周を直流電流 II が流れている。 この時,zz 軸上の点 P(0,0,z1)P(0,0,z_1) における磁束密度 B1\boldsymbol{B}_1 を求めたい。その導出に関する以下の文章の空欄① ∼\sim ⑥を,適切な式または言葉で埋めよ(同一の番号には同一の式または言葉が入る)。なお,真空の透磁率を μ0\mu_0 とする。本問では,ベクトルはボールド体で表記するものとする。

「図 2.1 のように円電流の微小線素ベクトル dsd\boldsymbol{s} が,PP の位置に作る磁束密度を dBd\boldsymbol{B} とし,これを dBzd\boldsymbol{B}_z とそれに垂直な成分 dB⊥d\boldsymbol{B}_{\perp} に分け,dBz=∣dBz∣dB_z = |d\boldsymbol{B}_z| とする。dB⊥d\boldsymbol{B}_{\perp} については円電流全体からの寄与を合計すると消しあうので,積分すると ∣B⊥∣=(1◯)|\boldsymbol{B}_{\perp}| = (\textcircled{1}) となる。次に dBzdB_z を求める。微小線素 dsd\boldsymbol{s} から点 PP に向かうベクトルを R\boldsymbol{R} とし,その大きさ RR を R=∣R∣R = |\boldsymbol{R}| と定義すると,(2◯)(\textcircled{2}) の法則により,外積を ×\times で表すものとして dB=μ04πIds×RR3d\boldsymbol{B} = \frac{\mu_0}{4\pi}I\frac{d\boldsymbol{s} \times \boldsymbol{R}}{R^3} である。dsd\boldsymbol{s} と R\boldsymbol{R} は直交しているので,dBd\boldsymbol{B} の大きさ dB=∣dB∣dB = |d\boldsymbol{B}| を μ0,I,a,z1\mu_0,I,a,z_1 および ds=∣ds∣ds = |d\boldsymbol{s}| を用いて表すと dB=(3◯)dB = (\textcircled{3}) となる。一方,dBd\boldsymbol{B} と zz 軸のなす角 φ\varphi につき,aa および z1z_1 を用いると,cos⁡φ=(4◯)\cos\varphi = (\textcircled{4}) となる。そこで μ0,I,a,z1\mu_0,I,a,z_1 および dsds を用いて dBz=(5◯)dB_z = (\textcircled{5}) を得る。⑤ を円電流全体について積分することにより,μ0,I,a,z1\mu_0,I,a,z_1 を用いて B1\boldsymbol{B}_1 の zz 成分 BzB_z を Bz=(6◯)B_z = (\textcircled{6}) と表すことができる。よって,直交座標成分で書くと B1=(1◯,1◯,6◯)\boldsymbol{B}_1 = (\textcircled{1}, \textcircled{1}, \textcircled{6}) と,B1\boldsymbol{B}_1 が求められた。」

(2) 図 2.22.2 のように,断面が長方形のコアに細い導線が巻かれた環状コイルがあり(図の破線部分にもコイルは存在する),その内半径は aa , 外半径は bb , 厚さは hh であるとする。コアの表面に沿って,導線は十分に密に巻かれており,巻き数は全体で NN である。このとき,以下の設問に答えよ。ただし,コアの透磁率を μ\mu とする。

  • (a) コアの内側 (a<r<b,0≤θ<2π,−h/2<z<h/2)(a < r < b,0 \le \theta <2\pi, -h/2 < z <h/2) では,図 2.22.2 のような円柱座標系 (r,θ,z)(r,\theta,z) を用いると,コイルに流れる直流電流 JJ による磁界が
Br=Bz=0,Bθ=μNJ/(2πr)B_r = B_z = 0,B_{\theta} = \mu NJ/(2\pi r)

となることを示せ。

  • (b) コアの外側では,コイルに流れる直流電流 JJ による磁界がゼロとなることを説明せよ。

  • (c) コアの断面 (a<r<b,0≤θ<2π,−h/2<z<h/2)(a < r < b,0 \le \theta <2\pi, -h/2 < z <h/2) を貫く磁束 Φ\Phi は,次式で表されることを示せ。ただし,ln⁡(x)\ln(x) は xx の自然対数を表す。

Φ=μNJh2πln⁡(ba)\Phi = \frac{\mu NJh}{2\pi}\ln\big(\frac{b}{a}\big)
  • (d) 環状コイル全体に蓄えられた磁界のエネルギー UU を求めよ。

  • (e) この環状コイルの自己インダクタンス LL を求めよ。

题目描述​

回答下列关于直流电流磁场的两组问题。

  1. 在 xx-yy 平面内,一圆形导线以原点 O 为圆心、半径为 aa,其中流过直流电流 II。为推导 zz 轴上点 P(0,0,z1)P(0,0,z_1) 的磁感应强度 B1\boldsymbol B_1,填写下文的空格 ① 至 ⑥;同一编号处填写同一表达式或词语。真空磁导率为 μ0\mu_0,矢量以粗体表示。

    如原 Description 图 2.1,圆电流的微小线元矢量 ds\mathrm d\boldsymbol s 在 PP 处产生 dB\mathrm d\boldsymbol B,把它分解为 zz 方向分量 dBz\mathrm d\boldsymbol B_z 与垂直分量 dB⊥\mathrm d\boldsymbol B_\perp,并令 dBz=∣dBz∣\mathrm dB_z=|\mathrm d\boldsymbol B_z|。

    • 对整个圆电流积分时,dB⊥\mathrm d\boldsymbol B_\perp 的贡献相互抵消,故

      ∣B⊥∣=①.|\boldsymbol B_\perp|=\boxed{①}.
    • 从 ds\mathrm d\boldsymbol s 指向 PP 的矢量为 R\boldsymbol R,R=∣R∣R=|\boldsymbol R|。根据 ②\boxed{②} 定律,

      dB=μ04πIds×RR3.\mathrm d\boldsymbol B =\frac{\mu_0}{4\pi}I \frac{\mathrm d\boldsymbol s\times\boldsymbol R}{R^3}.
    • 因 ds\mathrm d\boldsymbol s 与 R\boldsymbol R 正交,用 μ0,I,a,z1\mu_0,I,a,z_1 及 ds=∣ds∣\mathrm ds=|\mathrm d\boldsymbol s| 表示磁场元大小,得到

      dB=③.\mathrm dB=\boxed{③}.
    • 若 dB\mathrm d\boldsymbol B 与 zz 轴夹角为 φ\varphi,则

      cos⁡φ=④,dBz=⑤.\cos\varphi=\boxed{④}, \qquad \mathrm dB_z=\boxed{⑤}.
    • 对整个圆电流积分后,

      Bz=⑥,B1=(①,①,⑥).B_z=\boxed{⑥}, \qquad \boldsymbol B_1=(\boxed{①},\boxed{①},\boxed{⑥}).
  2. 如图 2.2,一根细导线密绕在矩形截面的环形磁芯表面(图中虚线处也有绕组),内半径为 aa、外半径为 bb、厚度为 hh,总匝数为 NN,磁芯磁导率为 μ\mu。

    1. 采用图示柱坐标 (r,θ,z)(r,\theta,z),证明当磁芯内

      a<r<b,0≤θ<2π,−h2<z<h2a<r<b,\quad0\leq\theta<2\pi,\quad-\frac h2<z<\frac h2

      且线圈中流过直流 JJ 时,

      Br=Bz=0,Bθ=μNJ2πr.B_r=B_z=0,\qquad B_\theta=\frac{\mu NJ}{2\pi r}.
    2. 说明磁芯外部由该直流电流 JJ 产生的磁场为何为零。

    3. 证明穿过磁芯截面的磁通为

      Φ=μNJh2πln⁡(ba),\Phi=\frac{\mu NJh}{2\pi} \ln\left(\frac ba\right),

      其中 ln⁡\ln 为自然对数。

    4. 求整个环形线圈储存的磁场能量 UU。

    5. 求该环形线圈的自感 LL。

Kai​

(1)​

① 0

② ビオ・サバールの法則より、

dB=μ0I4πr2ds=μ0I4π(a2+z12)dsdB = \frac{\mu_0 I}{4\pi r^2}ds = \frac{\mu_0 I}{4\pi(a^2 + z_1^2)}ds

③

μ0I4π(a2+z12)ds\frac{\mu_0 I}{4\pi(a^2 + z_1^2)}ds

④

aa2+z12\frac{a}{\sqrt{a^2 + z_1^2}}
dBz=μ0I4π(a2+z12)ds⋅aa2+z12=μ0Ia4π(a2+z12)32ds\begin{aligned} dB_z &= \frac{\mu_0 I}{4\pi(a^2 + z_1^2)}ds \cdot \frac{a}{\sqrt{a^2 + z_1^2}} \\ &= \frac{\mu_0 I a}{4\pi(a^2 + z_1^2)^{\frac{3}{2}}}ds \end{aligned}

⑤

μ0Ia4π(a2+z12)32ds\frac{\mu_0 I a}{4\pi(a^2 + z_1^2)^{\frac{3}{2}}}ds
Bz=∫02πμ0Ia4π(a2+z12)32adθ=μ0Ia22(a2+z12)32\begin{aligned} B_z &= \int_0^{2\pi} \frac{\mu_0 I a}{4\pi(a^2 + z_1^2)^{\frac{3}{2}}}ad\theta \\ &= \frac{\mu_0 I a^2}{2(a^2 + z_1^2)^{\frac{3}{2}}} \end{aligned}

⑥

μ0Ia22(a2+z12)32\frac{\mu_0 I a^2}{2(a^2 + z_1^2)^{\frac{3}{2}}}

(2)​

(a)​

アンペールの法則より、積分路を円周上にすると、

2πrBθ=μNJ⇒Bθ=μNJ2πr2\pi r B_{\theta} = \mu NJ \Rightarrow B_{\theta} = \frac{\mu NJ}{2\pi r}

(b)​

十分密な巻線を連続した理想的な環状巻線として扱う。この対称性では磁界は円周方向であり、HθH_\theta は同じ (r,z)(r,z) をもつ円周上で一定である。軸を中心とする半径 rr の円をアンペールの積分路に取ると、

2πrHθ=Ienc.2\pi rH_\theta=I_{\mathrm{enc}}.

コアの穴の中では鎖交電流はゼロである。コアより外側では、巻線が積分面を通る往路と復路の電流が打ち消し合うため、やはり Ienc=0I_{\mathrm{enc}}=0 である。上下の外部でも鎖交電流はゼロである。従ってコア外では

H=0,B=0.\boxed{\boldsymbol H=\boldsymbol0,\qquad\boldsymbol B=\boldsymbol0}.

これは理想的な密巻き近似での結論であり、巻線の離散性や引出線による漏れ磁界はこのモデルでは無視する。

(c)​

Φ=∫Bθ dS=h∫abμNJ2πrdr=μNhJ2π∫ab1rdr=μNhJ2πlog⁡ba\begin{aligned} \Phi &= \int B_\theta\,dS \\ &= h\int_a^b \frac{\mu NJ}{2\pi r}dr \\ &= \frac{\mu NhJ}{2\pi} \int_a^b \frac{1}{r}dr \\ &= \frac{\mu NhJ}{2\pi} \log \frac{b}{a} \end{aligned}

(d)​

U=∭u12μB2du=h∫02π∫ab12μ⋅μ2N2J24π2r2rdrdθ=μhN2J28π2⋅∫02πdθ∫ab1rdr=μhN2J28π2⋅2π[log⁡r]ab=μhN2J24πlog⁡ba\begin{aligned} U &= \iiint_u \frac{1}{2\mu}B^2 du \\ &= h \int_0^{2\pi}\int_a^b \frac{1}{2\mu} \cdot \frac{\mu^2N^2J^2}{4\pi^2 r^2} rdrd\theta \\ &= \frac{\mu h N^2 J^2}{8\pi^2} \cdot \int_0^{2\pi} d\theta \int_a^b \frac{1}{r}dr \\ &= \frac{\mu hN^2 J^2}{8\pi^2} \cdot 2\pi \bigg[\log r\bigg]_a^b \\ &= \frac{\mu h N^2 J^2}{4 \pi} \log \frac{b}{a} \end{aligned}

(e)​

12LJ2=12J2⋅μhN22πlog⁡ba\frac{1}{2}LJ^2 = \frac{1}{2}J^2 \cdot \frac{\mu h N^2}{2\pi} \log \frac{b}{a}

従って、

L=μhN22πlog⁡baL = \frac{\mu h N^2}{2\pi} \log\frac{b}{a}