東京工業大学 工学院 電気電子系 2016年8月実施 電気回路2
Author
祭音Myyura (refined with GPT 6 Astra)
Description
図2.1の MOS トランジスタを用いたソース接地回路の周波数特性に関して、以下の問に答えよ。トランジスタは飽和領域で動作しているものとし、トランジスタの小信号等価回路は図2.2であらわされ、そのトランスコンダクタンスが gm とする。
-
図2.1について小信号等価回路を示せ。
-
小信号等価回路から、G(jω)=vout/vin を求めよ。
-
低域遮断角周波数 ωc(利得が 3dB 下がる低周波側の角周波数)を求めよ。また、遮断角周波数より十分に高い角周波数領域における利得 G0 を求めよ。ただし、R1=R2=200kΩ、RD=10kΩ、gm=10mS、C=0.1μF とする。
-
- の条件において、G(jω) の骨格ボード線図(利得および位相の周波数依存性の概略図)を 1rad/s 〜 1×108rad/s の範囲内で描け。

题目描述
对于图2.1中使用 MOS 晶体管的共源电路的频率特性,回答以下问题。设晶体管工作在饱和区,其小信号等效电路如图2.2所示,跨导为 gm。
-
画出图2.1的小信号等效电路。
-
根据小信号等效电路,求 G(jω)=vout/vin。
-
求低频截止角频率 ωc(低频侧增益下降 3dB 时的角频率),并求远高于截止角频率区域的增益 G0。设 R1=R2=200kΩ、RD=10kΩ、gm=10mS、C=0.1μF。
-
在 3) 的条件下,在 1rad/s 至 1×108rad/s 范围内画出 G(jω) 的渐近波特图(增益、相位随频率变化的概略图)。
Kai
直流電源 VCC を交流的に接地する。ゲートから接地までの抵抗は RG=R1∥R2、ドレインには RD と電流源 gmvgs が接続される。

ゲート電流は 0 なので、入力の容量分圧から
vgs=RG+1/(jωC)RGvin,vout=−gmRDvgs.
従って
G(jω)=−gmRD1+jωCRGjωCRG=−gmRDR1+R2+jωCR1R2jωCR1R2.
RG=100kΩ、CRG=0.01s より
ωc=CRG1=100rad/s.
高域の電圧利得とそのデシベル表示は
G0=−gmRD=−100,20log10∣G0∣=40dB.
厳密な振幅・位相は
20log10∣G(jω)∣=40+20log10ω2+1002ω,argG=−90∘−tan−1100ω.
骨格利得線図は 1≤ω≤100 で 20dB/dec、ω≥100 で 40dB の水平線となる。位相の骨格線図は ω≤10 で −90∘、10〜1000 で −45∘/dec、ω≥1000 で −180∘ とする。ω=100 の厳密な値は約 37dB、−135∘ である。
