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東京工業大学 工学院 電気電子系 2016年8月実施 電気回路2

Author​

祭音Myyura (refined with GPT 6 Astra)

Description​

図2.1の MOS トランジスタを用いたソース接地回路の周波数特性に関して、以下の問に答えよ。トランジスタは飽和領域で動作しているものとし、トランジスタの小信号等価回路は図2.2であらわされ、そのトランスコンダクタンスが gmg_m とする。

  1. 図2.1について小信号等価回路を示せ。

  2. 小信号等価回路から、G(jω)=vout/vinG(j\omega)=v_{\mathrm{out}}/v_{\mathrm{in}} を求めよ。

  3. 低域遮断角周波数 ωc\omega_c(利得が 3 dB3\,\mathrm{dB} 下がる低周波側の角周波数)を求めよ。また、遮断角周波数より十分に高い角周波数領域における利得 G0G_0 を求めよ。ただし、R1=R2=200 kΩR_1=R_2=200\,\mathrm{k\Omega}、RD=10 kΩR_D=10\,\mathrm{k\Omega}、gm=10 mSg_m=10\,\mathrm{mS}、C=0.1 μFC=0.1\,\mathrm{\mu F} とする。

    1. の条件において、G(jω)G(j\omega) の骨格ボード線図(利得および位相の周波数依存性の概略図)を 1 rad/s1\,\mathrm{rad/s} 〜 1×108 rad/s1\times10^8\,\mathrm{rad/s} の範囲内で描け。

MOSソース接地回路とトランジスタ小信号モデル(図2.1、2.2)

题目描述​

对于图2.1中使用 MOS 晶体管的共源电路的频率特性,回答以下问题。设晶体管工作在饱和区,其小信号等效电路如图2.2所示,跨导为 gmg_m。

  1. 画出图2.1的小信号等效电路。

  2. 根据小信号等效电路,求 G(jω)=vout/vinG(j\omega)=v_{\mathrm{out}}/v_{\mathrm{in}}。

  3. 求低频截止角频率 ωc\omega_c(低频侧增益下降 3 dB3\,\mathrm{dB} 时的角频率),并求远高于截止角频率区域的增益 G0G_0。设 R1=R2=200 kΩR_1=R_2=200\,\mathrm{k\Omega}、RD=10 kΩR_D=10\,\mathrm{k\Omega}、gm=10 mSg_m=10\,\mathrm{mS}、C=0.1 μFC=0.1\,\mathrm{\mu F}。

  4. 在 3) 的条件下,在 1 rad/s1\,\mathrm{rad/s} 至 1×108 rad/s1\times10^8\,\mathrm{rad/s} 范围内画出 G(jω)G(j\omega) 的渐近波特图(增益、相位随频率变化的概略图)。

Kai​

1)​

直流電源 VCCV_{CC} を交流的に接地する。ゲートから接地までの抵抗は RG=R1∥R2R_G=R_1\parallel R_2、ドレインには RDR_D と電流源 gmvgsg_mv_{gs} が接続される。

MOS回路の小信号等価回路

2)​

ゲート電流は 00 なので、入力の容量分圧から

vgs=RGRG+1/(jωC)vin,vout=−gmRDvgs.v_{gs}=\frac{R_G}{R_G+1/(j\omega C)}v_{\mathrm{in}}, \qquad v_{\mathrm{out}}=-g_mR_Dv_{gs}.

従って

G(jω)=−gmRDjωCRG1+jωCRG=−gmRDjωCR1R2R1+R2+jωCR1R2.\boxed{G(j\omega)=-g_mR_D\frac{j\omega CR_G}{1+j\omega CR_G} =-g_mR_D\frac{j\omega CR_1R_2}{R_1+R_2+j\omega CR_1R_2}}.

3)​

RG=100 kΩR_G=100\,\mathrm{k\Omega}、CRG=0.01 sCR_G=0.01\,\mathrm s より

ωc=1CRG=100 rad/s.\boxed{\omega_c=\frac1{CR_G}=100\,\mathrm{rad/s}}.

高域の電圧利得とそのデシベル表示は

G0=−gmRD=−100,20log⁡10∣G0∣=40 dB.\boxed{G_0=-g_mR_D=-100,\qquad 20\log_{10}|G_0|=40\,\mathrm{dB}}.

4)​

厳密な振幅・位相は

20log⁡10∣G(jω)∣=40+20log⁡10ωω2+1002,arg⁡G=−90∘−tan⁡−1ω100.\begin{gathered} 20\log_{10}|G(j\omega)| =40+20\log_{10}\frac{\omega}{\sqrt{\omega^2+100^2}},\\ \arg G=-90^\circ-\tan^{-1}\frac\omega{100}. \end{gathered}

骨格利得線図は 1≤ω≤1001\le\omega\le100 で 20 dB/dec20\,\mathrm{dB/dec}、ω≥100\omega\ge100 で 40 dB40\,\mathrm{dB} の水平線となる。位相の骨格線図は ω≤10\omega\le10 で −90∘-90^\circ、1010〜10001000 で −45∘/dec-45^\circ/\mathrm{dec}、ω≥1000\omega\ge1000 で −180∘-180^\circ とする。ω=100\omega=100 の厳密な値は約 37 dB37\,\mathrm{dB}、−135∘-135^\circ である。

MOS増幅回路の骨格ボード線図と厳密曲線