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東京工業大学 物質理工学院 材料系 2025年度(2024年8月実施)問題I-6

Author​

祭音Myyura (Based on ソニア's answer refined with GPT 6 Astra)

Description​

(1)​

酸・塩基のブレンステッド・ローリーの定義とルイスの定義をそれぞれ説明せよ。

(2)​

次の各組を酸性度または塩基性度の強い順に並べ、理由を述べよ。

① 水溶液中の酸性度:H3PO4,H2PO4−,HPO42−\mathrm{H_3PO_4,H_2PO_4^-,HPO_4^{2-}}。

② 塩基性度:LiOH,NaOH,KOH\mathrm{LiOH,NaOH,KOH}。

③ 酸性度:SiF4,SiCl4,SiBr4\mathrm{SiF_4,SiCl_4,SiBr_4}。

(3)​

希硫酸水溶液を考える。活量は濃度で近似できるとする。

① 第1段・第2段の酸解離定数 Ka1,Ka2K_{a1},K_{a2} を、[H2SO4],[HSO4−],[SO42−],[H3O+][\mathrm{H_2SO_4}],[\mathrm{HSO_4^-}],[\mathrm{SO_4^{2-}}],[\mathrm{H_3O^+}] で表せ。

② 0.200 mol L−10.200\ \mathrm{mol\,L^{-1}} の硫酸水溶液の [H3O+][\mathrm{H_3O^+}] は 0.211 mol L−10.211\ \mathrm{mol\,L^{-1}} であった。第1段は完全解離するとして Ka2K_{a2} を求めよ。

(4)​

正八面体配位子場にある d6d^6 配置の3d遷移金属錯体について答えよ。

① 高スピン状態と低スピン状態の3d電子配置を記せ。

② 高スピン状態が低スピン状態より安定となる条件を、エネルギーの観点から説明せよ。

③ 軌道の寄与を無視して、両状態の有効磁気モーメントを μB\mu_B 単位で求めよ。2=1.41,3=1.73\sqrt2=1.41,\sqrt3=1.73 を用いよ。

④ どちらの状態が自発的にひずみを生じうるか、理由とともに答えよ。

题目描述​

(1) 说明布朗斯特–劳里及路易斯的酸碱定义。

(2) 按强弱排序并解释:①水溶液中的 H3PO4,H2PO4−,HPO42−\mathrm{H_3PO_4,H_2PO_4^-,HPO_4^{2-}} 酸性;② LiOH,NaOH,KOH\mathrm{LiOH,NaOH,KOH} 的碱性;③ SiF4,SiCl4,SiBr4\mathrm{SiF_4,SiCl_4,SiBr_4} 的酸性。

(3) 以浓度近似活度,写出硫酸两级酸解离常数。已知 0.200 mol L−10.200\ \mathrm{mol\,L^{-1}} 硫酸溶液的水合氢离子浓度为 0.211 mol L−10.211\ \mathrm{mol\,L^{-1}},且第一级完全解离,求第二级解离常数。

(4) 对正八面体配位场中的3d d6d^6 金属配合物:写出高、低自旋电子排布;给出高自旋更稳定的能量条件;忽略轨道贡献求两者有效磁矩,使用 2=1.41,3=1.73\sqrt2=1.41,\sqrt3=1.73;说明哪个状态可能自发畸变及原因。

Kai​

(1)​

ブレンステッド・ローリー酸はプロトン供与体、塩基はプロトン受容体である。ルイス酸は電子対受容体、塩基は電子対供与体である。

(2)​

①

H3PO4>H2PO4−>HPO42−.\boxed{\mathrm{H_3PO_4>H_2PO_4^->HPO_4^{2-}}}.

解離が進むほど陰イオンの負電荷が増し、さらに正電荷のプロトンを放出することが不利になる。

② カチオンの分極作用とM–OH結合のイオン性に基づく傾向は

KOH>NaOH>LiOH.\mathrm{KOH>NaOH>LiOH}.

イオン半径が小さい Li+\mathrm{Li^+} ほどOHの電子雲を強く分極し、M–O結合の共有結合性が大きくなる。ただし、水中で完全解離した同濃度の溶液では、いずれも塩基は OH−\mathrm{OH^-} であり、水の水平化効果を受ける。上の傾向を、そのまま同濃度水溶液の塩基性の差として扱うことはできない。

③ ハロゲンの電子求引誘起効果だけを考慮するモデルでは、

SiF4>SiCl4>SiBr4\mathrm{SiF_4>SiCl_4>SiBr_4}

と予測する。Fほど電気陰性度が高く、Siの電子不足を強めるためである。

ただし、ルイス酸性度は相手の塩基・溶媒・付加体形成に伴う構造変化に依存する。条件を指定しない普遍的な順序はない。例えば気相のフッ化物イオン親和力を尺度にすると SiBr4>SiCl4>SiF4\mathrm{SiBr_4>SiCl_4>SiF_4} となり、誘起効果だけの予測とは逆になる。

(3)​

① 水の活量を省略して、

Ka1=[H3O+][HSO4−][H2SO4],Ka2=[H3O+][SO42−][HSO4−].\boxed{K_{a1}=\frac{[\mathrm{H_3O^+}][\mathrm{HSO_4^-}]}{[\mathrm{H_2SO_4}]}}, \qquad \boxed{K_{a2}=\frac{[\mathrm{H_3O^+}][\mathrm{SO_4^{2-}}]}{[\mathrm{HSO_4^-}]}}.

② 第2段の解離量は x=0.211−0.200=0.011 mol L−1x=0.211-0.200=0.011\ \mathrm{mol\,L^{-1}}。よって

[SO42−]=0.011,[HSO4−]=0.200−0.011=0.189(mol L−1),[\mathrm{SO_4^{2-}}]=0.011,\qquad [\mathrm{HSO_4^-}]=0.200-0.011=0.189\quad(\mathrm{mol\,L^{-1}}),
Ka2=0.211×0.0110.189≃1.23×10−2 mol L−1.\boxed{K_{a2}=\frac{0.211\times0.011}{0.189} \simeq1.23\times10^{-2}\ \mathrm{mol\,L^{-1}}}.

これは濃度商としての値であり、標準濃度で規格化した熱力学的平衡定数は無次元である。

(4)​

① 高スピン:t2g4eg2t_{2g}^4e_g^2、低スピン:t2g6eg0t_{2g}^6e_g^0。

② 配位子場分裂を Δo\Delta_o、電子対を一組作るエネルギーを PP とすると、同一の基準で

EHS=−0.4Δo+P,ELS=−2.4Δo+3P.E_{\mathrm{HS}}=-0.4\Delta_o+P, \qquad E_{\mathrm{LS}}=-2.4\Delta_o+3P.

したがって EHS<ELSE_{\mathrm{HS}}<E_{\mathrm{LS}} の条件は

Δo<P.\boxed{\Delta_o<P}.

③ 高スピンでは不対電子4個で S=2S=2、低スピンでは S=0S=0。スピンのみの磁気モーメントは

μeff=2S(S+1) μB\mu_{\mathrm{eff}}=2\sqrt{S(S+1)}\,\mu_B

なので、

μHS=26 μB≃2(1.41)(1.73) μB=4.88 μB,μLS=0.\boxed{\mu_{\mathrm{HS}}=2\sqrt6\,\mu_B \simeq2(1.41)(1.73)\,\mu_B=4.88\,\mu_B}, \qquad \boxed{\mu_{\mathrm{LS}}=0}.

④ 高スピン状態。t2g4t_{2g}^4 は縮退軌道の占有が非対称であり、ひずみによる分裂で低い軌道が優先的に占有され、電子エネルギーを下げられる。低スピン t2g6t_{2g}^6 は閉殻で、この一次のヤーン・テラー安定化を得ない。

Reference​