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東京工業大学 物質理工学院 材料系 2024年8月実施 問題I-6

Author​

祭音Myyura (Based on ソニア's answer refined with GPT 6 Astra)

Description​

下の問(1)~(4)に答えよ。

(1)​

酸・塩基の定義に関して,ブレンステッド・ローリーの定義,およびルイスの定義についてそれぞれ説明せよ。

(2)​

酸または塩基の強さに関する次の問①~③に答えよ。

① H3PO4\mathrm{H_3PO_4},H2PO4−\mathrm{H_2PO_4^-},HPO42−\mathrm{HPO_4^{2-}} を水溶液中での酸性度の強い順に並べ,その理由を答えよ。

② LiOH\mathrm{LiOH},NaOH\mathrm{NaOH},KOH\mathrm{KOH} を塩基性度の強い順に並べ,その理由を答えよ。

③ SiF4\mathrm{SiF_4},SiCl4\mathrm{SiCl_4},SiBr4\mathrm{SiBr_4} を酸性度の強い順に並べ,その理由を答えよ。

(3)​

希硫酸(H2SO4\mathrm{H_2SO_4})水溶液に関する次の問①~②に答えよ。ただし,水溶液の活量を濃度で近似できるものとする。

① 硫酸は水溶液中で二段階に解離する。一段階目の酸解離定数 Ka1K_{a1} と二段階目の酸解離定数 Ka2K_{a2} を,それぞれのモル濃度 [H2SO4][\mathrm{H_2SO_4}],[HSO4−][\mathrm{HSO_4^-}],[SO42−][\mathrm{SO_4^{2-}}],[H3O+][\mathrm{H_3O^+}] をもちいて表せ。

② 0.200 mol L−10.200\ \mathrm{mol\,L^{-1}} の硫酸水溶液中の [H3O+][\mathrm{H_3O^+}] は 0.211 mol L−10.211\ \mathrm{mol\,L^{-1}} であった。一段階目の解離は完全解離であるとし,二段階目の酸解離定数 Ka2K_{a2} の値を求めよ。

(4)​

正八面体配位子場に置かれた d6d^6 配置をとる3d遷移金属イオンからなる金属錯体に関して,次の問①~④に答えよ。

① 高スピン状態,および低スピン状態における3d軌道の電子配置をそれぞれ答えよ。

② 高スピン状態が低スピン状態に比べ安定となる条件を,エネルギーの観点から説明せよ。

③ 高スピン状態,および低スピン状態に関して,軌道の寄与は無視して,有効磁気モーメントをそれぞれ求めよ。ただし,2=1.41\sqrt2=1.41,3=1.73\sqrt3=1.73 とし,単位を μB\mu_B(ボーア磁子)とする。

④ 高スピン状態,または低スピン状態において,自発的に歪みを生じることがある。どちらのスピン状態で起こりうるか,その理由とともに説明せよ。

题目描述​

回答以下(1)~(4)各题。

(1) 关于酸碱定义,分别说明布朗斯特–劳里定义及路易斯定义。

(2) 关于酸或碱的强弱,回答①~③。

① 将 H3PO4\mathrm{H_3PO_4}、H2PO4−\mathrm{H_2PO_4^-}、HPO42−\mathrm{HPO_4^{2-}} 按水溶液中的酸性由强到弱排序,并说明理由。

② 将 LiOH\mathrm{LiOH}、NaOH\mathrm{NaOH}、KOH\mathrm{KOH} 按碱性由强到弱排序,并说明理由。

③ 将 SiF4\mathrm{SiF_4}、SiCl4\mathrm{SiCl_4}、SiBr4\mathrm{SiBr_4} 按酸性由强到弱排序,并说明理由。

(3) 关于稀硫酸(H2SO4\mathrm{H_2SO_4})水溶液,回答①、②。假设可以用浓度近似水溶液中的活度。

① 硫酸在水溶液中分两级解离。用各组分的摩尔浓度 [H2SO4][\mathrm{H_2SO_4}]、[HSO4−][\mathrm{HSO_4^-}]、[SO42−][\mathrm{SO_4^{2-}}]、[H3O+][\mathrm{H_3O^+}],分别表示第一级酸解离常数 Ka1K_{a1} 和第二级酸解离常数 Ka2K_{a2}。

② 0.200 mol L−10.200\ \mathrm{mol\,L^{-1}} 的硫酸水溶液中,[H3O+]=0.211 mol L−1[\mathrm{H_3O^+}]=0.211\ \mathrm{mol\,L^{-1}}。假设第一级完全解离,求第二级酸解离常数 Ka2K_{a2}。

(4) 对正八面体配体场中具有 d6d^6 电子组态的3d过渡金属离子所形成的金属配合物,回答①~④。

① 分别写出高自旋、低自旋状态下的3d轨道电子排布。

② 从能量角度说明高自旋状态比低自旋状态更稳定的条件。

③ 忽略轨道贡献,分别求高自旋、低自旋状态的有效磁矩。取 2=1.41\sqrt2=1.41、3=1.73\sqrt3=1.73,单位为玻尔磁子 μB\mu_B。

④ 高自旋或低自旋状态可能产生自发畸变。指出哪一种自旋状态可能发生,并说明理由。

Kai​

(1)​

ブレンステッド・ローリー酸はプロトン供与体、塩基はプロトン受容体である。ルイス酸は電子対受容体、塩基は電子対供与体である。

(2)​

①

H3PO4>H2PO4−>HPO42−.\boxed{\mathrm{H_3PO_4>H_2PO_4^->HPO_4^{2-}}}.

解離が進むほど陰イオンの負電荷が増し、さらに正電荷のプロトンを放出することが不利になる。

②​

カチオンの分極作用とM–OH結合のイオン性に基づく傾向は

KOH>NaOH>LiOH.\mathrm{KOH>NaOH>LiOH}.

イオン半径が小さい Li+\mathrm{Li^+} ほどOHの電子雲を強く分極し、M–O結合の共有結合性が大きくなる。ただし、水中で完全解離した同濃度の溶液では、いずれも塩基は OH−\mathrm{OH^-} であり、水の水平化効果を受ける。上の傾向を、そのまま同濃度水溶液の塩基性の差として扱うことはできない。

③​

ハロゲンの電子求引誘起効果だけを考慮するモデルでは、

SiF4>SiCl4>SiBr4\mathrm{SiF_4>SiCl_4>SiBr_4}

と予測する。Fほど電気陰性度が高く、Siの電子不足を強めるためである。

ただし、ルイス酸性度は相手の塩基・溶媒・付加体形成に伴う構造変化に依存する。条件を指定しない普遍的な順序はない。例えば気相のフッ化物イオン親和力を尺度にすると SiBr4>SiCl4>SiF4\mathrm{SiBr_4>SiCl_4>SiF_4} となり、誘起効果だけの予測とは逆になる。

(3)​

①​

水の活量を省略して、

Ka1=[H3O+][HSO4−][H2SO4],\boxed{K_{a1}=\frac{[\mathrm{H_3O^+}][\mathrm{HSO_4^-}]}{[\mathrm{H_2SO_4}]}},
Ka2=[H3O+][SO42−][HSO4−].\boxed{K_{a2}=\frac{[\mathrm{H_3O^+}][\mathrm{SO_4^{2-}}]}{[\mathrm{HSO_4^-}]}}.

②​

第2段の解離量は x=0.211−0.200=0.011 mol L−1x=0.211-0.200=0.011\ \mathrm{mol\,L^{-1}}。よって

[SO42−]=0.011,[HSO4−]=0.200−0.011=0.189(mol L−1),\begin{aligned} [\mathrm{SO_4^{2-}}]&=0.011,\\ [\mathrm{HSO_4^-}]&=0.200-0.011\\ &=0.189\quad(\mathrm{mol\,L^{-1}}), \end{aligned}
Ka2=0.211×0.0110.189≃1.23×10−2 mol L−1.\boxed{K_{a2}=\frac{0.211\times0.011}{0.189} \simeq1.23\times10^{-2}\ \mathrm{mol\,L^{-1}}}.

これは濃度商としての値であり、標準濃度で規格化した熱力学的平衡定数は無次元である。

(4)​

①​

高スピン:t2g4eg2t_{2g}^4e_g^2、低スピン:t2g6eg0t_{2g}^6e_g^0。

②​

配位子場分裂を Δo\Delta_o、電子対を一組作るエネルギーを PP とすると、同一の基準で

EHS=−0.4Δo+P,ELS=−2.4Δo+3P.\begin{aligned} E_{\mathrm{HS}}&=-0.4\Delta_o+P,\\ E_{\mathrm{LS}}&=-2.4\Delta_o+3P. \end{aligned}

したがって EHS<ELSE_{\mathrm{HS}}<E_{\mathrm{LS}} の条件は

Δo<P.\boxed{\Delta_o<P}.

③​

高スピンでは不対電子4個で S=2S=2、低スピンでは S=0S=0。スピンのみの磁気モーメントは

μeff=2S(S+1) μB\mu_{\mathrm{eff}}=2\sqrt{S(S+1)}\,\mu_B

なので、

μHS=26 μB≃2(1.41)(1.73) μB=4.88 μB,\boxed{\begin{aligned} \mu_{\mathrm{HS}}&=2\sqrt6\,\mu_B\\ &\simeq2(1.41)(1.73)\,\mu_B\\ &=4.88\,\mu_B \end{aligned}},
μLS=0.\boxed{\mu_{\mathrm{LS}}=0}.

④​

高スピン状態。t2g4t_{2g}^4 は縮退軌道の占有が非対称であり、ひずみによる分裂で低い軌道が優先的に占有され、電子エネルギーを下げられる。低スピン t2g6t_{2g}^6 は閉殻で、この一次のヤーン・テラー安定化を得ない。

Reference​