東京工業大学 工学院 電気電子系 2023年8月実施 電気回路2

留学警示（商务部公告2026年第12号）

根据中华人民共和国商务部公告2026年第12号，东京科学大学（東京科学大学/Institute of Science Tokyo）已被列入关注名单。请中国留学申请者慎重考虑相关风险，在做出留学决定前充分了解相关政策及其可能带来的影响。

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Zero

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図 2.1 および図 2.2 に示す回路について以下の問に答えよ。図中の はインダクタンス， はキャパシタンス， は大信号入力電圧， は大信号出力電圧， は小信号入力電圧， は小信号出力電圧， は直流電源電圧である。 型 MOSFET の小信号等価回路は図 に示す形で表され， はゲート・ソース間小信号電圧， は伝達コンダクタンス， は出力抵抗である。虚数単位を , 角周波数を とする。基板バイアス効果は無視せよ。

(1) 図 の回路の 間のアドミタンス を求めよ。

(2) 図 の回路の ab 間の並列共振角周波数 を求めよ。

(3) 図 の回路を負荷に用いた回路を図 に示す。この回路構成の名称を示せ。ただし答案用紙の空欄部を埋めるかたちで答えること。

(4) 図 の回路において 型 MOSFET に直流のドレイン電流 のみが流れるとき， の電圧を示せ。

(5) 図 の回路の小信号等価回路を描け。

(6) 図 の回路に として並列共振角周波数 の信号を入力した際の小信号利得 を のうち必要なものを用いて示せ。

Kai

(1)

(2)

(3)

ドレイン接地回路

(4)

キャパシタンスは、開放、インダクタは、短絡より、

(5)

(6)

で より、

を (i) 式に代入、

従って、