東京工業大学 工学院 電気電子系 2023年8月実施 電気回路2
Author
Zero
Description
図 2.1 および図 2.2 に示す回路について以下の問に答えよ。図中の L はインダクタンス,C はキャパシタンス,VIN は大信号入力電圧,VOUT は大信号出力電圧,vin は小信号入力電圧,vout は小信号出力電圧,VDD は直流電源電圧である。N 型 MOSFET の小信号等価回路は図 2.3 に示す形で表され,vgs はゲート・ソース間小信号電圧,gm は伝達コンダクタンス,ro は出力抵抗である。虚数単位を j, 角周波数を ω とする。基板バイアス効果は無視せよ。
(1) 図 2.1 の回路の ab 間のアドミタンス Y を求めよ。
(2) 図 2.1 の回路の ab 間の並列共振角周波数 ω0 を求めよ。
(3) 図 2.1 の回路を負荷に用いた回路を図 2.2 に示す。この回路構成の名称を示せ。ただし答案用紙の空欄部を埋めるかたちで答えること。
(4) 図 2.2 の回路において N 型 MOSFET に直流のドレイン電流 ID のみが流れるとき,VOUT の電圧を示せ。
(5) 図 2.2 の回路の小信号等価回路を描け。
(6) 図 2.2 の回路に vin として並列共振角周波数 ω0 の信号を入力した際の小信号利得 vout/vin を ω0,L,C,gm,ro のうち必要なものを用いて示せ。
题目描述
对原 Description 图 2.1、2.2 所示电路回答下列问题。L 为电感量,C 为电容量,VIN,VOUT 为大信号输入、输出电压,vin,vout 为小信号输入、输出电压,VDD 为直流电源电压。N 沟道 MOSFET 的小信号模型如图 2.3,vgs 为栅源小信号电压,gm 为跨导,ro 为输出电阻。j 为虚数单位,ω 为角频率,忽略体效应。
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求图 2.1 电路端子 ab 间的导纳 Y。
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求图 2.1 电路端子 ab 间的并联谐振角频率 ω0。
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图 2.2 以图 2.1 电路作为负载。填写答题纸空格,写出这一电路结构的名称。
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在图 2.2 中,若 N 沟道 MOSFET 中只流过直流漏极电流 ID,求 VOUT。
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画出图 2.2 的小信号等效电路。
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当图 2.2 的输入 vin 为并联谐振角频率 ω0 的信号时,用 ω0,L,C,gm,ro 中必要的量表示小信号增益
vinvout.
所有元件连接、MOSFET 端子和电压参考方向均以原 Description 的合并图为准。
Kai
(1)
Y=jωL1+jωC
(2)
Y=j(ωC−ωL1)ω0C−ω0L1ω02=LC1=0=0
ω0=LC1
(3)
ドレイン接地回路
(4)
キャパシタンスは、開放、インダクタは、短絡より、
(5)
(6)
ω0 で Z=Y1=∞ より、
vin=vgs+vout(i)
gmvgsro=vout
vgs=gmrovout を (i) 式に代入、
vin=gmrovout+vout=(gmro1+1)vout=gmro1+gmrovout
従って、
vinvout=1+gmrogmro